Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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JDCD06-001-007 Wafer de silicio de 12 pulgadas Dispositivos MEMS Circuitos integrados Substratos dedicados para dispositivos discretos

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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Ciudad:shanghai
Provincia / Estado:shanghai
País/Región:china
Persona de contacto:Xiwen Bai (Ciel)
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JDCD06-001-007 Wafer de silicio de 12 pulgadas Dispositivos MEMS Circuitos integrados Substratos dedicados para dispositivos discretos

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Number modelo :JDCD06-001-006
Lugar del origen :Suzhou China
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de la fuente :50000pcs/month
Plazo de expedición :3-4 días de la semana
Detalles de empaquetado :Envasado al vacío en un entorno de sala limpia de clase 10000, en casetes de 25 piezas o en contened
Diámetro :12"
Grado :Primero
Método del crecimiento :CZ
Orientación :<1-0-0><1-1-1>,<1-1-0>
Tipo/dopante :Tipo de P/boro, tipo de N/Phos, N Type/As, N Type/Sb
Espesor (μm) :775
Tolerancia del grueso :± estándar los 25μm, ± máximo los 5μm de las capacidades
resistencia :0.001-100 ohmio-cm
Superficial acabado :P/E, P/P, E/E, G/G
TTV (μm) :<10 estándar um, Capabilities<5 máximo um
Arco/deformación :<40 estándar um, Capabilities<20 máximo um
Partícula :<10>
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dispositivos de la oblea de silicio 12-inch MEMS, circuitos integrados, substratos dedicados para los dispositivos discretos


Descripción
Una oblea de silicio es un material esencial para los semiconductores de fabricación, que se encuentran en toda clase de dispositivos electrónicos que enriquezcan nuestras vidas. Pocos de nosotros tienen una ocasión de encontrar una oblea de silicio real en vida de cada día.


Este proceso de impresión implica generalmente muchos pasos en los cuales diversas capas se apilen para arriba en la superficie de la oblea de silicio, cada capa con un diverso modelo, así que el resultado final puede ser un diseño complejo de componentes electrónicos y los alambres de la interconexión. Este proceso de impresión generalmente se llama “microlithography.”

Especificación

oblea de silicio

Diámetro

2"/3"/4"/5"/6"/8"/12"
Grado Primero
Método del crecimiento CZ
Orientación <1-0-0><1-1-1>,<1-1-0>
Tipo/dopante Tipo de P/boro, tipo de N/Phos, N Type/As, N Type/Sb
Grueso (μm) 279/380/525/625/675/725/775
Tolerancia del grueso ± estándar los 25μm, ± máximo los 5μm de Capabilit/IES
Resistencia 0.001-100 ohmio-cm
Superficial acabado P/E, P/P, E/E, G/G
TTV (μm) Estándar <10 um="">
Arco/deformación Estándar <40 um="">
Partícula <10>

Sobre nosotros

Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, los substratos y parts.components de cristal óptico modificado para requisitos particulares ampliamente utilizados en electrónica, la óptica, la electrónica opta y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales y las universidades, las instituciones de investigación y las compañías de ultramar, proporcionan productos modificados para requisitos particulares y los servicios para sus proyectos del R&D. Es nuestra visión a mantener una buena relación de la cooperación con nuestros todos los clientes por nuestras buenas reputaciones.

FAQ

Q: ¿Es usted empresa comercial o el fabricante?
Somos fábrica.
Q: ¿Cuánto tiempo es su plazo de expedición?
Es generalmente 3-5 días si las mercancías están en existencia.
o es 7-10 días si las mercancías no están en existencia, él está según cantidad.
Q: ¿Usted proporciona muestras? ¿está él libremente o adicional?
Sí, podríamos ofrecer la carga de la muestra gratis pero no pagamos el coste de carga.
Q: ¿Cuál es sus términos del pago?
Pago <> >=5000USD, el 80% T/T del pago por adelantado, balanza antes del envío.

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