Productos proveedores Sign in Register

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Plataforma de contratación única profesional de la industria de semiconductores, para proporcionarle una calidad superior y una diversidad de productos y servicios técnicos

Manufacturer from China
Miembro activo
4 Años
Casa Catalogo de productos Perfil de la compañía Control de calidad Contáctenos Solicitar un presupuesto
Español
Casa / Productos / Silicon Carbide Crystal / cristal 4" del carburo de silicio de 100.0m m grado Politype 4H de P /

show pictures

Categorías de Producto

GaN Epitaxial Wafer

 [68]

Oblea sic epitaxial

 [33]

Oblea Epi GaAs

 [15]

Sustratos de diamante CVD

 [15]

Sistema de recocido térmico rápido

 [2]

Probador de sensores de efecto Hall

 [3]

Oblea del nitruro de aluminio

 [21]

Microprocesador del diodo láser

 [10]

Cristal del carburo de silicio

 [12]

Oblea Ga2O3

 [13]

oblea de silicio

 [26]

Sapphire Wafer

 [19]

Sapphire Substrates modelada

 [10]

Tenedor de la oblea del

 [1]

Cortadora de obleas

 [5]
Contacta
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Ciudad:shanghai
Provincia / Estado:shanghai
País/Región:china
Persona de contacto:Xiwen Bai (Ciel)
Ver detalles de contacto
Contacta

cristal 4" del carburo de silicio de 100.0m m grado Politype 4H de P
cristal 4
  • cristal 4
Productos detallados
100.0mm±0.5m m sic siembran el cristal 4" el grado 4.0°±0.2° Politype 4H de P Sic siembre el cristal 4" PGrade Sic puede soportar una pendiente del ...
Ver productos detallados →
Etiquetas de productos:
Tercoda de crisol de carburo de silicio crisol del carburo de silicio de aluminio fundido a presión

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4