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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Productos / GaAs Epi Wafer / JDCD10-001-002 Substratos dopados con GaAs (100) de 2 pulgadas /

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GaN Epitaxial Wafer

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Oblea sic epitaxial

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Oblea Epi GaAs

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Sustratos de diamante CVD

 [15]

Sistema de recocido térmico rápido

 [2]

Probador de sensores de efecto Hall

 [3]

Oblea del nitruro de aluminio

 [21]

Microprocesador del diodo láser

 [10]

Cristal del carburo de silicio

 [12]

Oblea Ga2O3

 [13]

oblea de silicio

 [26]

Sapphire Wafer

 [19]

Sapphire Substrates modelada

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Tenedor de la oblea del

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Cortadora de obleas

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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Ciudad:shanghai
Provincia / Estado:shanghai
País/Región:china
Persona de contacto:Xiwen Bai (Ciel)
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JDCD10-001-002 Substratos dopados con GaAs (100) de 2 pulgadas
JDCD10-001-002 Substratos dopados con GaAs (100) de 2 pulgadas
  • JDCD10-001-002 Substratos dopados con GaAs (100) de 2 pulgadas
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Sustratos dopados con Si de GaAs (100) de 2 pulgadas Descripción general El GaAs se usa a menudo como material de sustrato para el crecimiento ...
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con una capacidad de producción de más de 300 kW con una capacidad de producción de más de 300 kW semiconductor de la oblea

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