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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Productos / CVD Diamond Substrates / 225nm al contenido de la oblea N del diamante monocristalino del grado electrónico infrarrojo lejano /

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GaN Epitaxial Wafer

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Oblea sic epitaxial

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Oblea Epi GaAs

 [15]

Sustratos de diamante CVD

 [15]

Sistema de recocido térmico rápido

 [2]

Probador de sensores de efecto Hall

 [3]

Oblea del nitruro de aluminio

 [21]

Microprocesador del diodo láser

 [10]

Cristal del carburo de silicio

 [12]

Oblea Ga2O3

 [13]

oblea de silicio

 [26]

Sapphire Wafer

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Sapphire Substrates modelada

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Tenedor de la oblea del

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Cortadora de obleas

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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
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225nm al contenido de la oblea N del diamante monocristalino del grado electrónico infrarrojo lejano
225nm al contenido de la oblea N del diamante monocristalino del grado electrónico infrarrojo lejano
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225nm a infrarrojo lejano Contenido de diamante N monocristalino de grado electrónico <100ppb Diamante monocristalino de grado electrónico de 3*3 mm²...
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