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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Productos / GaN Epitaxial Wafer / Oblea epitaxial GaN de 5x10 mm2 Tipo SI no dopado /

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GaN Epitaxial Wafer

 [68]

Oblea sic epitaxial

 [33]

Oblea Epi GaAs

 [15]

Sustratos de diamante CVD

 [15]

Sistema de recocido térmico rápido

 [2]

Probador de sensores de efecto Hall

 [3]

Oblea del nitruro de aluminio

 [21]

Microprocesador del diodo láser

 [10]

Cristal del carburo de silicio

 [12]

Oblea Ga2O3

 [13]

oblea de silicio

 [26]

Sapphire Wafer

 [19]

Sapphire Substrates modelada

 [10]

Tenedor de la oblea del

 [1]

Cortadora de obleas

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Oblea epitaxial GaN de 5x10 mm2 Tipo SI no dopado
Oblea epitaxial GaN de 5x10 mm2 Tipo SI no dopado
  • Oblea epitaxial GaN de 5x10 mm2 Tipo SI no dopado
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5*10mm2Sustrato monocristalino de GaN autónomo (20-21)/(20-2-1) tipo SI no dopado 5*10mm2SP-face (20-21)/(20-2-1) Sustrato monocristalino de GaN ...
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Wafer de fosfuro de indio semiconductor de la oblea plaquetas de silicio de tipo n

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