Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Productos / GaN Epitaxial Wafer /

Oblea de nitruro de galio monocristalino de GaN tipo SI

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Ciudad:shanghai
Provincia / Estado:shanghai
País/Región:china
Persona de contacto:Xiwen Bai (Ciel)
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Oblea de nitruro de galio monocristalino de GaN tipo SI

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Number modelo :JDCD01-001-018
Lugar del origen :Suzhou China
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de la fuente :10000pcs/Month
Plazo de expedición :3-4 días de la semana
Detalles de empaquetado :Envasado al vacío en un entorno de sala limpia de clase 10000, en casetes de 6 piezas o contenedores
Dimensiones :² de 5 x de 10m m
Nombre de producto :GaN Substrates libre
Grueso :350 ±25µm
TTV :≤ el 10µm
Densidad de dislocación :A partir del ⁵ la 1 x 10 al ² del cm⁻ de 3 x 10 ⁶
Densidad macra del defecto :² 0cm⁻
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5*10,5mm2SP-face (20-21)/(20-2-1) Sustrato monocristalino de GaN independiente de tipo SI no dopado Resistividad > 106Oblea de dispositivos RF de Ω·cm


Descripción general

El sustrato de nitruro de galio (GaN) es un sustrato monocristalino de alta calidad.Está hecho con el método HVPE original y la tecnología de procesamiento de obleas, que se desarrolló originalmente durante muchos años.Las características son alto cristalino, buena uniformidad y calidad superficial superior.

(20-21)/(20-2-1) Face Free-calleaDakota del Norteinortegramo GRAMOanorte Subcallereal academia de bellas artestmis
Artículo

GaN-FS-SP-US

GaN-FS-SP-NS

GaN-FS-SP-SI-S

Oblea de nitruro de galio monocristalino de GaN tipo SI

Observaciones:

Se utiliza un ángulo de arco circular (R < 2 mm) para distinguir la superficie delantera y la trasera.

Dimensiones 5x10mm2
Espesor 350 ±25 micras
Orientación

(20-21)/(20-2- 1) plano fuera de ángulo hacia el eje A 0 ±0,5°

(20-21)/(20-2- 1) plano fuera del ángulo hacia el eje C - 1 ±0,2°

Tipo de conducción tipo N tipo N Semiaislante
Resistividad (300K) < 0,1 Ω·cm < 0,05 Ω·cm > 106Ω·cm
TTV ≤ 10 micras
ARCO - 10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm
Rugosidad de la superficie frontal

< 0,2 nm (pulido);

o < 0,3 nm (pulido y tratamiento superficial para epitaxia)

Rugosidad de la superficie trasera

0,5 ~ 1,5 micras

opción: 1~3 nm (molienda fina);< 0,2 nm (pulido)

Densidad de dislocación Desde 1x105a 3 x 106cm-2
Densidad de macrodefectos 0cm-2
Área utilizable > 90% (exclusión de bordes)
Paquete Empaquetado en un ambiente de sala limpia de clase 100, en un contenedor de 6 PCS, bajo una atmósfera de nitrógeno

Apéndice: El diagrama del ángulo de corte incorrecto

Oblea de nitruro de galio monocristalino de GaN tipo SI

Si δ1= 0 ±0,5°, entonces (20-21)/(20-2- 1) el ángulo de desviación del plano hacia el eje A es 0 ±0,5°.

Si δ2= - 1 ±0,2°, entonces (20-21)/(20-2- 1) el ángulo de desviación del plano hacia el eje C es - 1 ±0,2°.

Sobre nosotros

Nos especializamos en el procesamiento de una variedad de materiales en obleas, sustratos y piezas de vidrio óptico personalizadas. Componentes ampliamente utilizados en electrónica, óptica, optoelectrónica y muchos otros campos.También hemos estado trabajando en estrecha colaboración con muchas universidades, instituciones de investigación y empresas nacionales y extranjeras, proporcionando productos y servicios personalizados para sus proyectos de I+D.Nuestra visión es mantener una buena relación de cooperación con todos nuestros clientes gracias a nuestra buena reputación.

Preguntas más frecuentes

P: ¿Es una empresa comercial o fabricante?
Somos fábrica.
P: ¿Cuál es su tiempo de entrega?
Generalmente es de 3 a 5 días si los productos están en stock.
o es de 7 a 10 días si los productos no están en stock, depende de la cantidad.
P: ¿Proporcionan muestras?¿Es gratis o extra?
Sí, podemos ofrecer la muestra de forma gratuita, pero no pagamos el costo del flete.
P: ¿Cuáles son sus condiciones de pago?
Pago <=5000USD, 100% por adelantado.
Paymen> = 5000 USD, 80% T/T por adelantado, saldo antes del envío.

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