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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Productos / GaN Epitaxial Wafer / 5x10mm2 Sp Face Gan Epitaxial Wafer On Doped Si Tipo Gan Sustrato monocristalino /

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Categorías de Producto

GaN Epitaxial Wafer

 [68]

Oblea sic epitaxial

 [33]

Oblea Epi GaAs

 [15]

Sustratos de diamante CVD

 [15]

Sistema de recocido térmico rápido

 [2]

Probador de sensores de efecto Hall

 [3]

Oblea del nitruro de aluminio

 [21]

Microprocesador del diodo láser

 [10]

Cristal del carburo de silicio

 [12]

Oblea Ga2O3

 [13]

oblea de silicio

 [26]

Sapphire Wafer

 [19]

Sapphire Substrates modelada

 [10]

Tenedor de la oblea del

 [1]

Cortadora de obleas

 [5]
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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Ciudad:shanghai
Provincia / Estado:shanghai
País/Región:china
Persona de contacto:Xiwen Bai (Ciel)
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5x10mm2 Sp Face Gan Epitaxial Wafer On Doped Si Tipo Gan Sustrato monocristalino
5x10mm2 Sp Face Gan Epitaxial Wafer On Doped Si Tipo Gan Sustrato monocristalino
  • 5x10mm2 Sp Face Gan Epitaxial Wafer On Doped Si Tipo Gan Sustrato monocristalino
Productos detallados
5*10mm2Cara SP (20-21)/(20-2-1) Tipo SI no dopado Sustrato monocristalino de GaN autónomo Resistividad > 106Oblea de dispositivos RF de Ω·cm Descripci...
Ver productos detallados →
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gan semiconductor ¿Qué es eso? Papan led pcb

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