Memoria Bytewide monolítica de IC 64KB FM1608-120 Fram de memoria Flash

FM1608-120 - RAMTRON INTERNATIONAL CORPORATION - MEMORIA BYTEWIDE DE 64KB FRAM

Detalle rápido:

memoria Bytewide de 64Kb FRAM

Descripción:

El FM1608 es una memoria permanente de 64 kilobites que emplea un proceso ferroeléctrico avanzado. Una memoria de acceso aleatorio o un FRAM ferroeléctrica es

permanente pero actúa en otros aspectos como RAM. Proporciona la retención de los datos durante 10 años mientras que elimina las preocupaciones de la confiabilidad, las desventajas funcionales y las complejidades del diseño de sistemas de SRAM batería-apoyado. Su rápidamente escribir y arriba escribir resistencia para hacerla superior a otros tipos de memoria permanente.

la operación del En-sistema del FM1608 es muy similar al otro RAM basó los dispositivos. La lectura y los writecycles de la memoria requieren épocas iguales. La memoria de FRAM, sin embargo, es permanente debido a su proceso ferroeléctrico único de la memoria. A diferencia de BBSRAM, el FM1608 es una memoria permanente verdaderamente monolítica. Proporciona las mismas ventajas funcionales de un rápido escribe sin las desventajas serias asociadas a los módulos y

baterías o soluciones híbridas de la memoria.

Estas capacidades hacen el ideal FM1608 para requerir de los usos de la memoria permanente frecuente o rápido escribe en un ambiente bytewide. La disponibilidad de un paquete verdadero del superficie-soporte mejora el manufacturability de nuevos diseños, mientras que el paquete de la INMERSIÓN facilita modificaciones del diseño simple. El FM1608 ofrece la operación garantizada sobre una gama de temperaturas industrial de -40°C a +85°C.

Usos:

64K mordió RAM permanente ferroeléctrico

· Organizado como 8.192 x 8 pedazos

· La alta resistencia que 10 mil millones (1010) leen/que escriben

· retención de 10 datos del año en 85° C

· NoDelay™ escribe

· Proceso ferroeléctrico de la alto-confiabilidad avanzada

Superior a los módulos de BBSRAM

· Ningunas preocupaciones de la batería

· Confiabilidad monolítica

· Solución superficial verdadera del soporte, ningunos pasos de la reanudación

· Superior para la humedad, el choque, y la vibración

· Resistente a los aterrizajes cortos negativos del voltaje

SRAM y EEPROM compatibles

· Pinout de JEDEC 8Kx8 SRAM y de EEPROM

· tiempo de acceso de 120 ns

· duración de ciclo de 180 ns

· La igualdad de acceso y la duración de ciclo para lee y escribe

Operación de la energía baja

· corriente activa de 15 mA

· corriente espera de 20 mA

Configuración del estándar industrial

· Temperatura industrial -40° C a +85° C

· COMPENSACIÓN o INMERSIÓN de 28 pernos

Especificaciones: