Shenzhen Zesheng Semiconductor Technology Co., Ltd.

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3 Años
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Circuito integrado original del MOSFET IPD25N06S4L-30 del transistor del diodo de BOM IC nuevo

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Shenzhen Zesheng Semiconductor Technology Co., Ltd.
Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:MissElena
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Circuito integrado original del MOSFET IPD25N06S4L-30 del transistor del diodo de BOM IC nuevo

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Number modelo :IPD25N06S4L-30
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :1pcs
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :300000/pcs/week
Plazo de expedición :1-3day
Detalles de empaquetado :Paquete original
Descripción :MOSFET N-Ch 60V 25A DPAK-2 OptiMOS-T2
Común :300000
Método de envío :Expreso
Tipo entrado :Estándar
Fuente del voltaje - interna :Estándar
MOQ :1PCS
Paquete :Paquete original
Plazo de ejecución :Dentro de 3days
Calidad :De alta calidad
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Nuevo MOSFET original IPD25N06S4L-30 de los chips CI del circuito integrado de BOM

 

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La compañía de Zesheng es uno de los distribuidores principales del mundo de semiconductores y de componentes electrónicos.

Ofrecemos la gama de productos más completa, de componentes y de clases activos, pasivos, electromecánicos de circuito integrado (IC). Todos de los fabricantes directos o de los distribuidores autorizados.

 

Especificaciones  
Cualidad de producto Valor del atributo
Fabricante: Infineon
Categoría de producto: MOSFET
RoHS: Detalles
Tecnología: Si
Montaje de estilo: SMD/SMT
Paquete/caso: TO-252-3
Polaridad del transistor: Canal N
Número de canales: 1 canal
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente: 60 V
Identificación - corriente continua del dren: 25 A
Rds en - resistencia de la Dren-fuente: 23 mOhms
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente: - 16 V, + 16 V
Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente: 1,2 V
Qg - carga de la puerta: nC 16,3
Temperatura de funcionamiento mínima: - 55 C
Temperatura de funcionamiento máximo: + 175 C
Paladio - disipación de poder: 29 W
Modo del canal: Aumento
Marca registrada: OptiMOS
Serie: OptiMOS-T2
Empaquetado: Carrete
Empaquetado: Corte la cinta
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Solo
Tiempo de caída: 2 ns
Altura: 2,3 milímetros
Longitud: 6,5 milímetros
Tipo de producto: MOSFET
Tiempo de subida: 1 ns
Subcategoría: MOSFETs
Tipo del transistor: 1 canal N
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado: 15 ns
Tiempo de retraso de abertura típico: 6 ns
Anchura: 6,22 milímetros
Parte # alias: IPD25N6S4L3XT SP000481508 IPD25N06S4L30ATMA1
Peso de unidad: 0,011640 onzas

Circuito integrado original del MOSFET IPD25N06S4L-30 del transistor del diodo de BOM IC nuevo

 

Circuito integrado original del MOSFET IPD25N06S4L-30 del transistor del diodo de BOM IC nuevoCircuito integrado original del MOSFET IPD25N06S4L-30 del transistor del diodo de BOM IC nuevoCircuito integrado original del MOSFET IPD25N06S4L-30 del transistor del diodo de BOM IC nuevo

P/N Fabricante Empaquetado Código de fecha Qty
Z7.280.6627. Wieland Electric GmbH N/A 22+ 25000
Z7.281.6227. Wieland Electric GmbH N/A 22+ 123500
Z7.281.2027. Wieland Electric GmbH N/A 23+ 25800
Z7.281.0527. Wieland Electric GmbH N/A 23+ 78000
Z7.281.0627. Wieland Electric GmbH N/A 23+ 46500
Z7.284.3027. Wieland Electric GmbH N/A 23+ 13500
Z7.281.7727. Wieland Electric GmbH N/A 23+ 25800
Z7.281.6627. Wieland Electric GmbH N/A 22+ 35800
Z7.270.1227. Wieland Electric GmbH N/A 21+ 125000
Z7.282.2727. Wieland Electric GmbH N/A 22+ 135000
Z7.280.6527. Wieland Electric GmbH N/A 22+ 90000
Z7.282.2627. Wieland Electric GmbH N/A 23+ 89000
Z7.271.2227. Wieland Electric GmbH N/A 22+ 80000
Z7.269.4223. Wieland Electric GmbH N/A 22+ 30000
Z7.281.7627. Wieland Electric GmbH N/A 22+ 50000
Z7.280.6427. Wieland Electric GmbH N/A 21+ 25000
Z7.280.7227. Wieland Electric GmbH N/A 22+ 35000
Z7.282.2927. Wieland Electric GmbH N/A 22+ 150000
Z7.282.5227. Wieland Electric GmbH N/A 22+ 21000
Z7.281.1427. Wieland Electric GmbH N/A 22+ 12500
ZB4BA731337 SCHNEIDER ELECTRIC N/A 22+ 60000
ZB5-AS54 SCHNEIDER ELECTRIC N/A 22+ 12000
ZWS-30B-24 TDK N/A 22+ 30000
ZB4BA72124 TDK N/A 23+ 90000
ZB4BK1243 TDK N/A 23+ 30000
Z2-K-5.0-MP-7/0. TDK N/A 23+ 50000
ZWS-240BP-48 TDK N/A 23+ 25000
ZWS-15B-15 TDK N/A 23+ 35000
ZC-N2255 TDK N/A 23+ 150000
ZWS-30B-15 TDK N/A 23+ 21000
ZB5-AS844 TDK N/A 23+ 12500
ZN02 016 0002 TDK N/A 22+ 60000
ZB4BA334 TDK N/A 22+ 12000
ZSPM4521AA1W TDK N/A 23+ 30000
ZSPM9060ZA1R TDK N/A 23+ 90000

Circuito integrado original del MOSFET IPD25N06S4L-30 del transistor del diodo de BOM IC nuevo

Q1: ¿Cuál es su garantía?
A1: 365 días después de que las mercancías se han recibido. Nuestros productos serán el 100% probado antes de que se envíen.

 

Q2: ¿Cuál es el MOQ para sus productos?
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Q3: ¿Cómo pago la orden?
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