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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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Transistores IGBTs del módulo de poder de HGTG5N120BND IGBT solo

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China Transistores IGBTs del módulo de poder de HGTG5N120BND IGBT solo wholesale
  • China Transistores IGBTs del módulo de poder de HGTG5N120BND IGBT solo wholesale

Transistores IGBTs del módulo de poder de HGTG5N120BND IGBT solo
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Número de parte :HGTG5N120BND
Fabricante :Semiconductor de Fairchild/ON
Descripción :IGBT 1200V 21A 167W TO247
Categoría :Transistores - IGBTs - solos
Familia :Transistores - IGBTs - solos
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :Negociable
Plazo de expedición :Negociable
Condiciones de pago :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :100000
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Especificaciones de HGTG5N120BND

Situación de la parte No para los nuevos diseños
Tipo de IGBT NPT
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) 1200V
Actual - colector (Ic) (máximo) 21A
Actual - colector pulsado (Icm) 40A
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 5A
Poder - máximo 167W
Energía que cambia 450µJ (encendido), 390µJ (apagado)
Tipo entrado Estándar
Carga de la puerta 53nC
TD (con./desc.) @ 25°C 22ns/160ns
Condición de prueba 960V, 5A, 25 ohmios, 15V
Tiempo de recuperación reversa (trr) 65ns
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo A través del agujero
Paquete/caso TO-247-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de HGTG5N120BND

Detección

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power igbt datasheet

transistor igbt

power module igbt
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