KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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TK8P60W5, MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de RVQ solos

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País/Región:china
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TK8P60W5, MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de RVQ solos

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Número de parte :TK8P60W5, RVQ
Fabricante :Semiconductor y almacenamiento de Toshiba
Descripción :MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Categoría :Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia :Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Serie :DTMOSIV
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :Negociable
Plazo de expedición :Negociable
Condiciones de pago :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :100000
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TK8P60W5, especificaciones de RVQ

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 600V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 8A (TA)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 4.5V @ 400µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 22nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 590pF @ 300V
Vgs (máximo) ±30V
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 80W (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 560 mOhm @ 4A, 10V
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor DPAK
Paquete/caso TO-252-3, DPak (2 ventajas + etiquetas), SC-63
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

TK8P60W5, empaquetado de RVQ

Detección

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