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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de STD8NM60ND solos

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China MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de STD8NM60ND solos wholesale
  • China MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de STD8NM60ND solos wholesale

MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de STD8NM60ND solos
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Número de parte :STD8NM60ND
Fabricante :STMicroelectronics
Descripción :MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Categoría :Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia :Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Serie :FDmesh™ II
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :Negociable
Plazo de expedición :Negociable
Condiciones de pago :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :100000
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Especificaciones de STD8NM60ND

Situación de la parte Obsoleto
Tipo del FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 600V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 7A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) -
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 22nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 560pF @ 50V
Vgs (máximo) -
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 70W (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 700 mOhm @ 3.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor D-Pak
Paquete/caso TO-252-3, DPak (2 ventajas + etiquetas), SC-63
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de STD8NM60ND

Detección

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Etiquetas de productos:

mos field effect transistor

metal oxide semiconductor field effect transistor

junction field effect transistor
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