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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo SI1443EDH-T1-GE3 solos

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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo SI1443EDH-T1-GE3 solos

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Número de parte :SI1443EDH-T1-GE3
Fabricante :Vishay Siliconix
Descripción :MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363
Categoría :Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia :Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Serie :TrenchFET®
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :Negociable
Plazo de expedición :Negociable
Condiciones de pago :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :100000
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Especificaciones SI1443EDH-T1-GE3

Situación de la parte Activo
Tipo del FET P-canal
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 30V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 4A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 28nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds -
Vgs (máximo) ±12V
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 1.6W (TA), 2.8W (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 54 mOhm @ 4.3A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-363
Paquete/caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado SI1443EDH-T1-GE3

Detección

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