Productos proveedores Sign in Register

KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Establecieron al proveedor del punto en China, TECNOLOGÍA CO., Ltd de YJDN en 2008. Uno de los distribuidores más grandes de los componentes electrónicos de Hong-Kong y de Shenzhen, China.YDJN

Manufacturer from China
Miembro activo
3 Años
Casa Catalogo de productos Perfil de la compañía Control de calidad Contáctenos Solicitud de una cuota
Español
Casa / Productos / Field Effect Transistor /

BLS6G2731-6G, microprocesador del RF de 112 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETs

Categorías de Producto

circuitos integrados ics

 [2964]

Chip IC de memoria

 [2994]

Aislador análogo IC

 [2489]

Microcontroladores y procesadores integrados

 [2717]

Transistor de efecto de campo

 [1605]

Módulo de potencia IGBT

 [1002]

Triodo del diodo

 [300]

Condensador de fines generales

 [40]

Los conectores interconectan

 [83]

Inductor del poder de SMD

 [100]

Componente de la retransmisión

 [112]

Fusibles de la protección de circuito

 [186]
Contacta
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
País/Región:china
Persona de contacto:MissVicky
Ver detalles de contacto
Contacta
China BLS6G2731-6G, microprocesador del RF de 112 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETs wholesale
  • China BLS6G2731-6G, microprocesador del RF de 112 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETs wholesale

BLS6G2731-6G, microprocesador del RF de 112 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETs
Preguntar último precio
Número de parte :BLS6G2731-6G, 112
Fabricante :Ampleon los USA Inc.
Descripción :FET LDMOS 60V 15DB SOT975C del RF
Categoría :Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia :Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :Negociable
Plazo de expedición :Negociable
Condiciones de pago :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :100000
more
Contacta

Add to Cart
Buscar vídeos similares
Ver descripción del producto

BLS6G2731-6G, 112 especificaciones

Situación de la parte Activo
Tipo del transistor LDMOS
Frecuencia 2.7GHz ~ 3.1GHz
Aumento 15dB
Voltaje - prueba 32V
Grado actual 3.5A
Figura de ruido -
Actual - prueba 25mA
Poder - salida 6W
Voltaje - clasificado 60V
Paquete/caso SOT-975C
Paquete del dispositivo del proveedor SOT975C
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

BLS6G2731-6G, 112 que empaquetan

Detección

BLS6G2731-6G, microprocesador del RF de 112 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETsBLS6G2731-6G, microprocesador del RF de 112 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETsBLS6G2731-6G, microprocesador del RF de 112 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETsBLS6G2731-6G, microprocesador del RF de 112 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETs

Etiquetas de productos:

rf transistor list

mosfet para rf

transistores de rf
Carro de la investigación 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4