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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BLL6G1214L-250,112

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Circuitos integrados ICS

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 [3000]

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Microcontroladores y procesadores integrados

 [3000]

Transistor de efecto de campo

 [1828]

Módulo de poder de IGBT

 [1002]

Triodo del diodo

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China Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BLL6G1214L-250,112 wholesale
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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BLL6G1214L-250,112
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Número de parte :BLL6G1214L-250,112
Fabricante :Ampleon los USA Inc.
Descripción :FET LDMOS 89V 15DB SOT502A del RF
Categoría :Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia :Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :Negociable
Plazo de expedición :Negociable
Condiciones de pago :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :100000
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Especificaciones BLL6G1214L-250,112

Situación de la parte Obsoleto
Tipo del transistor LDMOS
Frecuencia 1.2GHz ~ 1.4GHz
Aumento 15dB
Voltaje - prueba 36V
Grado actual -
Figura de ruido -
Actual - prueba 150mA
Poder - salida 250W
Voltaje - clasificado 89V
Paquete/caso SOT-502A
Paquete del dispositivo del proveedor LDMOST
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado BLL6G1214L-250,112

Detección

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BLL6G1214L-250,112Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BLL6G1214L-250,112Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BLL6G1214L-250,112Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BLL6G1214L-250,112

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