KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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SSM6N48FU, RF (órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de D

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País/Región:china
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SSM6N48FU, RF (órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de D

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Número de parte :SSM6N48FU, RF (D
Fabricante :Semiconductor y almacenamiento de Toshiba
Descripción :MOSFET 2N-CH 30V 0.1A
Categoría :Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia :Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :Negociable
Plazo de expedición :Negociable
Condiciones de pago :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :100000
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SSM6N48FU, RF (especificaciones de D

Situación de la parte Obsoleto
Tipo del FET Canal N 2 (dual)
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica, impulsión 2.5V
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 30V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 100mA (TA)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 3,2 ohmios @ 10mA, 4V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 1.5V @ 100µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs -
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 15.1pF @ 3V
Poder - máximo 300mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete del dispositivo del proveedor US6
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

SSM6N48FU, RF (empaquetado de D

Detección

SSM6N48FU, RF (órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de DSSM6N48FU, RF (órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de DSSM6N48FU, RF (órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de DSSM6N48FU, RF (órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de D

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