Productos proveedores Sign in Register

KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Spot supplier in China,YJDN TECHNOLOGY CO., Ltd was established in 2008. One of the largest electronic components distributors in Hongkong and Shenzhen, China.YDJN provides a full range of services

Manufacturer from China
Miembro activo
3 Años
Casa Catalogo de productos Perfil de la compañía Control de calidad Contáctenos Solicitud de una cuota
Español
Casa / Productos / Field Effect Transistor /

Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de ZXMP6A18DN8TA

Categorías de Producto

Circuitos integrados ICS

 [3000]

Chip CI de la memoria

 [3000]

Aislador análogo IC

 [2527]

Microcontroladores y procesadores integrados

 [3000]

Transistor de efecto de campo

 [1828]

Módulo de poder de IGBT

 [1002]

Triodo del diodo

 [303]

Condensador de fines generales

 [41]

Los conectores interconectan

 [83]

Inductor del poder de SMD

 [100]

Componente de la retransmisión

 [203]

Fusibles de la protección de circuito

 [195]
Contacta
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
País/Región:china
Persona de contacto:MissVicky
Ver detalles de contacto
Contacta
China Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de ZXMP6A18DN8TA wholesale
  • China Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de ZXMP6A18DN8TA wholesale

Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de ZXMP6A18DN8TA
Preguntar último precio
Número de parte :ZXMP6A18DN8TA
Fabricante :Diodos incorporados
Descripción :MOSFET 2P-CH 60V 3.7A 8-SOIC
Categoría :Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia :Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :Negociable
Plazo de expedición :Negociable
Condiciones de pago :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :100000
more
Contacta

Add to Cart
Buscar vídeos similares
Ver descripción del producto

Especificaciones de ZXMP6A18DN8TA

Situación de la parte Activo
Tipo del FET P-canal 2 (dual)
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 60V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 3.7A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 55 mOhm @ 3.5A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 1V @ 250µA (minuto)
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 44nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 1580pF @ 30V
Poder - máximo 1.8W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso 8-SOIC (0,154", anchura de 3.90m m)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOP
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de ZXMP6A18DN8TA

Detección

Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de ZXMP6A18DN8TAÓrdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de ZXMP6A18DN8TAÓrdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de ZXMP6A18DN8TAÓrdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de ZXMP6A18DN8TA

Etiquetas de productos:

npn transistor array

metal oxide semiconductor field effect transistor

pnp transistor array
Carro de la investigación 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4