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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

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Diodo paralelo anti 43A 1200V de HGTG11N120CND NPT GBT Hyperfast

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China Diodo paralelo anti 43A 1200V de HGTG11N120CND NPT GBT Hyperfast wholesale
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Diodo paralelo anti 43A 1200V de HGTG11N120CND NPT GBT Hyperfast
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Number modelo :HGTG11N120CND
Lugar del origen :LOS E.E.U.U.
Cantidad de orden mínima :10pcs
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :10,000pcs
Plazo de expedición :en existencia 2-3days
Detalles de empaquetado :Tubo
Descripción :IGBT NPT 1200 V 43 A 298 W a través del agujero TO-247-3
PN :HGTG11N120CND
Marca :FSC
Tipo :Diodo antiparalelo del canal N IGBT Hyperfast del NPT
Actual :43A
Voltaje :1200V
paquete :TO-247
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HGTG11N120CND NPT Serie N Canal IGBT Diodo hiperrápido antiparalelo 43A 1200V

Descripción:

El HGTG11N120CND es un diseño IGBT sin punción (NPT).
Este es un nuevo miembro de la familia MOS con alta tensión con interruptores IGBT.
Los IGBT combinan las mejores características de los MOSFET y los transistores bipolares.
Este dispositivo tiene la alta impedancia de entrada de un MOSFET y la baja pérdida de conducción en estado de un transistor bipolar.
El IGBT utilizado es el tipo de desarrollo TA49291.
El diodo utilizado es del tipo de desarrollo TA49189.
El IGBT es ideal para muchas aplicaciones de conmutación de alto voltaje que operan a frecuencias moderadas
cuando sean esenciales bajas pérdidas de conducción, tales como: controles de motores CA y CC, fuentes de alimentación y controladores para solenoides,
Relays y contactores, anteriormente tipo de desarrollo TA49303.
Características:
• 43A, 1200V, TC = 25oC
• Capacidad de SOA de conmutación de 1200 V
• Tiempo típico de caída. . . . . .340ns a TJ = 150oC
• Clasificación de cortocircuito
• Baja pérdida de conducción
• Modelo SPICE de impedancia térmica
Etiquetas de productos:

rl207 diode

ss34 diode equivalent

rl207 diode equivalent
Carro de la investigación 0

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