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DDR3 SDRAM es un de alta velocidad, memoria de acceso aleatorio dinámica del Cmos. Internamente se configura como COPITA de 8 bancos.
Características
• VDD = VDDQ = +1.5V ±0.075V
• 1.5V centro-terminó la entrada-salida de vaivén
• Estroboscópico bidireccional diferenciado de los datos
• arquitectura del prefetch 8n-bit
• Entradas de reloj diferenciado (CK, CK#)
• 8 bancos internos
• Terminación nominal y dinámica del en-dado (ODT) para los datos, el estroboscópico, y las señales de la máscara
• Estado latente de CAS (LEÍDO) (CL): 5, 6, 7, 8, 9, 10, o 11
• Estado latente ADITIVO FIJADO de CAS (AL): 0, CL - 1, CL - 2
• Estado latente de CAS (ESCRIBA) (CWL): 5, 6, 7, 8, sobre la base de t CK
• Longitud estallada fija (BL) de 8 y de la tajada de la explosión (porque) de 4 (vía el sistema de registro de modo [SEÑORA])
• BC4 o BL8 a elección simultáneamente (OTF)
• El uno mismo restaura modo
LISTA COMÚN
LM4890MM | 30000 | NSC | 15+ | MSOP-8 |
MHW6342T | 6304 | MOT | 15+ | CATV |
CM450HA-5F | 233 | MITSUBI | 14+ | MÓDULO |
PM200RSD060 | 230 | MITSUBISH | 05+ | MOUDLE |
PM200RSA060 | 120 | MITSUBISH | 13+ | MOUDLE |
MSM5219BGS-K-7 | 550 | OKI | 14+ | QFP |
PS11003-C | 500 | MITSUBISH | 12+ | MÓDULO |
MB87020PF-G-BND | 3531 | FUJITSU | 14+ | QFP |
MA2820 | 7689 | SHINDENG | 16+ | CREMALLERA |
7MBP150RTB060 | 210 | FUJI | 12+ | MÓDULO |
MBM200HS6B | 629 | HITACHI | 14+ | MÓDULO |
PM25RSK120 | 320 | MITSUBISH | 10+ | MOUDLE |
QM150DY-H | 150 | MITSUBISH | 13+ | MÓDULO |
PWB130A40 | 120 | SANREX | 14+ | MÓDULO |
LA1185 | 3928 | SANYO | 14+ | SIP9 |
BSM25GP120 | 458 | EUPEC | 15+ | MÓDULO |
LM2750LD-ADJ | 3000 | NSC | 14+ | QFN |
NCN1188MUTAG | 8480 | EN | 16+ | UQFN |
NCN1154MUTAG | 8400 | EN | 16+ | UQFN |
LM2745MTCX | 3000 | NSC | 14+ | TSSOP-14 |
L78L05ABD | 10000 | ST | 15+ | SOP8 |
AT24C08BN-SH | 5000 | ATMEL | 15+ | SOP-8 |
PS21563-P | 500 | MITSUBISH | 12+ | MÓDULO |
BNX003-01 | 2058 | MURATA | 14+ | INMERSIÓN |
LTC4441IMSE | 6207 | LINEAR | 14+ | MSOP |
PA0173NLT | 7386 | PULSO | 16+ | COMPENSACIÓN |