Solo diodo que cambia de alta velocidad, fabricado en tecnología planar, y encapsulado en un pequeño paquete plástico Superficie-montado del dispositivo SOT23 (TO-236AB) (SMD).

Características

■Alta velocidad que cambia: ≤ 4 ns del trr

■Capacitancia baja: ≤ 1,5 PF del Cd

■Corriente baja de la salida

■Voltaje reverso: ≤ 100 V DE VR

■Voltaje reverso máximo repetidor: ≤ 100 V DE VRRM

■Pequeño paquete plástico de SMD

Usos

■Transferencia de alta velocidad

Datos de referencia rápida

Símbolo	Parámetro	Condiciones	Minuto	Tipo	Máximo	Unidad
SI	adelante actual	[1]	-	-	215	mA
VR	voltaje reverso		-	-	100	V
trr	tiempo de recuperación reversa	[2]	-	-	4	ns

[1] dispositivo montado en un tablero del circuito impreso FR4 huella de cobre, estañada y estándar de un sólo lado (del PWB).

[2] cuando está cambiado de SI = 10 mA a IR = 10 mA; RL = Ω 100; medido en IR = 1 mA.

Valores límites

De acuerdo con el sistema de calificación máximo absoluto (IEC 60134).

Símbolo	Parámetro	Condiciones	Minuto	Máximo	Unidad
VRRM	voltaje reverso máximo repetidor		-	100	V
VR	voltaje reverso		-	100	V
SI	adelante actual	[1]	-	215	mA
IFRM	pico repetidor adelante actual		-	500	mA
IFSM	pico sin repetición adelante actual	onda cuadrada [2]
		tp = µs 1	-	4
		tp = 1 ms	-	1
		tp = 1 s	-	0,5
Ptot	disipación de poder total	°C del ≤ 25 de Tamb [1] [3]	-	250	mW
Tj	temperatura de empalme		-	150	°C
Tstg	temperatura de almacenamiento		−65	+150	°C

[1] dispositivo montado en una huella de cobre, estañada y estándar de un sólo lado del PWB FR4.

[2] Tj = °C 25 antes de la oleada.

[3] puntos que sueldan del cátodo cuadro.

Circuito y formas de onda de la prueba del tiempo de recuperación reversa

Circuito y formas de onda delanteros de la prueba del voltaje de la recuperación

Esquema SOT23 (TO-236AB) del paquete

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