Diodo de emisión infrarrojo del poder más elevado, 950 nanómetro, GaAlAs/GaAs
Características
• Alto poder radiante excepcional
• Voltaje delantero bajo
• Conveniente para la operación actual del alto pulso
• Ángulo del ϕ = del ± 12° de la intensidad baja
• Λp máximo de la longitud de onda = 950 nanómetro
• Alta confiabilidad
• Serie hecha juego del fototransistor: TEMT1000
• Configuraciones terminales versátiles
• Componente sin plomo
Descripción
Las series TSML1000 son diodos de emisión infrarrojos de la eficacia alta en GaAlAs en la tecnología del GaAs moldeada en paquete claro de SMD.
Esta tecnología representa el mejor funcionamiento para el poder radiante bajo condiciones del pulso, voltaje delantero y confiabilidad
Características típicas (Tamb = °C 25 salvo especificación de lo contrario)
LISTA COMÚN
| DLW21HN900SQ2L |
7950 |
MURATA |
16+ |
SMD |
| FAN5331SX |
1950 |
FSC |
15+ |
SOT23-5 |
| AD5160BRJZ50-RL7 |
2450 |
ANUNCIO |
15+ |
SOT23-8 |
| DTC114ESA |
3450 |
ROHM |
16+ |
TO-92S |
| HT7130-1 |
2460 |
HOLTEK |
13+ |
SOT-89 |
| ATMEGA16-16AU |
2500 |
ATMEL |
15+ |
QFP-44 |
| 74HCT04D |
7500 |
|
15+ |
COMPENSACIÓN |
| 26PCAFA6D |
3000 |
HONEYWELL |
15+ |
SORBO |
| ATMEGA168PA-AU |
2500 |
ATMEL |
16+ |
QFP |
| BYT230PIV-400 |
900 |
ST |
15+ |
COMPENSACIÓN |
| 74F827N |
7500 |
|
16+ |
INMERSIÓN |
| BC817-16 |
15000 |
|
15+ |
SOT-23 |
| AD711JN |
2450 |
ANUNCIO |
15+ |
INMERSIÓN |
| DS9034PCX |
4350 |
DALLAS |
16+ |
PWB |
| DAC08Q |
1825 |
ANUNCIO |
15+ |
DIP-16 |
| CY8C27543-24AXI |
2500 |
CYPRESS |
16+ |
QFP44 |
| AOZ1031AI |
1600 |
AOS |
15+ |
SOP-8 |
| ATMEGA8515-16AU |
2500 |
ATMEL |
15+ |
QFP-44 |
| 74LVC373APW |
7500 |
|
15+ |
TSSOP |
| INA114BU |
1780 |
TI |
16+ |
SOP-16 |
| BZV55-C36 |
9000 |
|
15+ |
LL34 |
| BC639 |
15000 |
FSC |
15+ |
TO-92 ‘ |
