Oferta común (venta caliente)
| Número de parte. |
Cantidad |
Marca |
D/C |
Paquete |
| G30N60A4 |
1300 |
FAIRCHILD |
15+ |
TO-3P |
| M74HC137B1R |
1300 |
ST |
16+ |
INMERSIÓN |
| MB8421-12LP |
1300 |
FUJITSU |
16+ |
INMERSIÓN |
| MC33887DH |
1300 |
FREESCAL |
14+ |
HSOP-20 |
| MSM6242BRS |
1300 |
EN |
14+ |
DIP-18 |
| NE22 |
1300 |
IR |
14+ |
TO-220 |
| OPA134PA |
1300 |
BB |
16+ |
DIP-8 |
| OPA2134PA |
1300 |
BB |
16+ |
DIP-8 |
| TC4560BP |
1300 |
TOS/NEC/H |
13+ |
INMERSIÓN |
| 74HCT688N |
1320 |
PHI |
15+ |
INMERSIÓN |
| DM9161AEP |
1320 |
DAVICOM |
16+ |
QFP |
| M430F149IPM |
1320 |
TI |
16+ |
QFP64 |
| SN74HC645N |
1320 |
TI |
14+ |
DIP20 |
| BTA26-800B |
1325 |
ST |
14+ |
TO-3P |
| LT3508EFE |
1350 |
LINEAR |
14+ |
TSSOP16 |
| UM3750A |
1351 |
UMC |
16+ |
COMPENSACIÓN |
| MC34051D |
1388 |
EN |
16+ |
SOP16 |
| FQP5N50C |
1400 |
FAIRCHILD |
13+ |
TO-220 |
| IRFD420 |
1400 |
IR |
15+ |
DIP-4 |
| MAX1693EUB+ |
1400 |
MÁXIMA |
16+ |
MSOP10 |
| TLP3063F |
1400 |
TOSHIBA |
16+ |
INMERSIÓN |
| MBRF10100CT |
1420 |
SSG |
14+ |
TO-220 |
| VN920B |
1422 |
ST |
14+ |
SMD |
| 74HCT4538N |
1431 |
|
14+ |
INMERSIÓN |
| H5DU2562 |
1450 |
HYNIX |
16+ |
TSOP |
| CY8C26643-24AXI |
1455 |
GRITO |
16+ |
QFP |
| AO4710 |
1458 |
AOS |
13+ |
SOP8 |
| LH5116NA-10 |
1472 |
SOSTENIDO |
15+ |
COMPENSACIÓN |
| PAL007E |
1480 |
PIONERO |
16+ |
ZIP-25 |
| UCC27424DR |
1491 |
TI |
16+ |
SOP-8 |
1N4001 - 1N4007
Rectificadores de fines generales de 1,0 amperios
Características
• Caída de voltaje delantera baja.
• Alta capacidad de la sobretensión.
Grados máximos absolutos * TA = 25°C a menos que se indicare en forma diferente
| Símbolo |
Parámetro |
Valor |
Unidades |
| IO |
Corriente rectificada media.
375" longitud de la ventaja @ TA = 75°C
|
1,0 |
|
| si (oleada) |
Sobretensión delantera máxima
sola mitad-seno-onda de 8,3 ms
Sobrepuesto en la carga clasificada (método de JEDEC)
|
30 |
|
| Paladio |
Disipación total del dispositivo
Reduzca la capacidad normal sobre 25°C
|
2,5
20
|
W
mW/°C
|
| RθJA |
Resistencia termal, empalme a ambiente |
50 |
°C/W |
| Tstg |
Gama de temperaturas de almacenamiento |
-55 a +175 |
°C |
| TJ |
Temperatura de empalme de funcionamiento |
-55 a +150 |
°C |
los grados *These son los valores límites sobre los cuales la utilidad de cualquier dispositivo de semiconductor puede ser empeorada.
Características típicas
