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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

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MOSFET FDV305N de PowerTrench del canal N del transistor del Mosfet del poder 20V

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China MOSFET FDV305N de PowerTrench del canal N del transistor del Mosfet del poder 20V wholesale
  • China MOSFET FDV305N de PowerTrench del canal N del transistor del Mosfet del poder 20V wholesale

MOSFET FDV305N de PowerTrench del canal N del transistor del Mosfet del poder 20V
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Number modelo :FDV305N
Lugar del origen :original
Cantidad de orden mínima :5pcs
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :290PCS
Plazo de expedición :1 día
Detalles de empaquetado :Éntreme en contacto con por favor para los detalles
Descripción :Soporte SOT-23-3 de la superficie 350mW (TA) del canal N 20 V 900mA (TA)
Voltaje de la Dren-fuente :20 V
Voltaje de la Puerta-fuente :± 12 V
Disipación de poder máxima :0,35 W
Corriente entrada :±5 mA
Gama de temperaturas de empalme del funcionamiento y del almacenamiento :– °C 55 a +150
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MOSFET del  de PowerTrench del canal N de FDV305N 20V

Descripción general

Este MOSFET del canal N 20V utiliza el proceso de alto voltaje de PowerTrench de Fairchild. Se ha optimizado para los usos de la gestión del poder.

Usos

• Interruptor de la carga

• Protección de la batería

• Gestión del poder

Características

• 0,9 A, 20 V

MΩ 220 del RDS (ENCENDIDO) = @ VGS = 4,5 V

MΩ 300 del RDS (ENCENDIDO) = @ VGS = 2,5 V

• Carga baja de la puerta

• Velocidad que cambia rápida

• Tecnología del foso del alto rendimiento para extremadamente - el RDS bajo (ENCENDIDO)

Grados máximos absolutos

Símbolo Parámetro Grados Unidades
VDSS Voltaje de la Dren-fuente 20 V
VGSS Voltaje de la Puerta-fuente ± 12 V
Identificación

Drene actual – continuo

– Pulsado

0,9

2
Paladio Disipación de poder máxima 0,35 W
TJ, TSTG Gama de temperaturas de empalme del funcionamiento y del almacenamiento – 55 a +150 °C

Etiquetas de productos:

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