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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MsDoris Guo

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Ultrabajo en mosfet ic IRLML6402TRPBF del poder de la resistencia HEXFET

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Number modelo :IRLML6402TRPBF

Lugar del origen :Japón

Cantidad de orden mínima :20pcs

Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal

Capacidad de la fuente :5200PCS

Plazo de expedición :1 día

Detalles de empaquetado :Éntreme en contacto con por favor para los detalles

Descripción :Soporte Micro3™/SOT-23 de la superficie 1.3W (TA) del P-canal 20 V 3.7A (TA)

Voltaje de la fuente del dren :-20 V

Corriente continua del dren, VGS @ -4.5V :-2,2 A

Corriente pulsada del dren ? :-22 A

Disipación de poder :1,3 W

Factor que reduce la capacidad normal linear :0,01 W/°C

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Ultrabajo en mosfet ic IRLML6402TRPBF del poder de la resistencia HEXFET

* En-resistencia ultrabaja

* MOSFET del P-canal

* huella SOT-23

* perfil bajo (<1>

* disponible en cinta y carrete

¿* transferencia rápida?????

Estos MOSFETs del P-canal del rectificador internacional utilizan técnicas de proceso avanzadas para alcanzar extremadamente - onresistance bajo por área del silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad que cambia rápida y el diseño construido sólidamente del dispositivo para los cuales los MOSFETs del poder de HEXFET® son bien sabido, provee del diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el uso en la gestión de la batería y de la carga.

Un leadframe grande termalmente aumentado del cojín se ha incorporado en el paquete estándar SOT-23 para producir un MOSFET del poder de HEXFET con la huella más pequeña de la industria. Este paquete, doblado el Micro3™, es ideal para los usos donde está el espacio impreso de la placa de circuito en un premio. El perfil bajo (<1>

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