Transistor del Mosfet del poder de HEXFET, módulo IRF7329 del mosfet del poder
¿? ¿Tecnología del foso?
En-resistencia ultrabaja
¿? MOSFET dual del P-canal
¿?
Perfil bajo (<1>
¿Disponible en cinta y carrete?
Sin plomo
Descripción
Los nuevos MOSFETs del poder del P-canal HEXFET® del rectificador internacional utilizan técnicas de proceso avanzadas para alcanzar extremadamente - en-resistencia baja por área del silicio. Esta ventaja, combinada con el diseño construido sólidamente del dispositivo para el cual los MOSFETs del poder de HEXFET son bien sabido, provee del diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el uso en una amplia variedad de usos. El SO-8 se ha modificado a través de un leadframe modificado para requisitos particulares para las características aumentadas y la capacidad termales del múltiple-dado que lo hacía ideal en una variedad de usos del poder. Con estas mejoras, los dispositivos múltiples se pueden utilizar en un uso con el espacio dramáticamente reducido del tablero. El paquete se diseña para la fase de vapor, el infrarrojo, o la técnica que suelda de la onda
| |
Parámetro |
Máximo. |
Unidades |
| VDS |
Voltaje de la fuente del dren |
-12 |
V |
| Identificación @ TA = 25°C |
Corriente continua del dren, VGS @ -4.5V |
-9,2 |
|
| Identificación @ TA= 70°C |
Corriente continua del dren, VGS @ -4.5V -7,4 |
-7,4 |
| IDM |
¿Corriente pulsada del dren? |
-37 |
| Paladio @TA = 25°C |
¿Disipación de poder? |
2,0 |
W |
| Paladio @TA = 70°C |
¿Disipación de poder? |
1,3 |
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Factor que reduce la capacidad normal linear |
16 |
mW/°C |
| VGS |
Voltaje de la Puerta-a-fuente |
± 8,0 |
V |
| TJ, TSTG |
Gama de temperaturas del empalme y de almacenamiento |
-55 a + 150 |
°C |
