Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

Manufacturer from China
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3 Años
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MOSFET rápido IRFP260NPBF del poder del transistor del Mosfet del poder que cambia 200A

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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:MsDoris Guo
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MOSFET rápido IRFP260NPBF del poder del transistor del Mosfet del poder que cambia 200A

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Number modelo :IRFP260NPBF
Lugar del origen :Fábrica original
Cantidad de orden mínima :10pcs
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :9200pcs
Plazo de expedición :1 día
Detalles de empaquetado :Éntreme en contacto con por favor para los detalles
Descripción :Canal N 200 V 50A (Tc) 300W (Tc) a través del agujero TO-247AC
Disipación de poder :300 W
Factor que reduce la capacidad normal linear :2,0 W/°C
Sola energía de la avalancha del pulso :560 mJ
Corriente de la avalancha :50 A
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MOSFET del poder de IRFP260NPbF HEXFET®

• ¿Tecnología de proceso avanzada?

• ¿Grado dinámico de dv/dt?

• ¿temperatura de funcionamiento 175°C?

• ¿Transferencia rápida?

• ¿Completamente avalancha clasificada?

• ¿Facilidad de ser paralelo a?

• Requisitos simples de la impulsión

• Sin plomo

Descripción

La quinta generación HEXFETs del rectificador internacional utiliza técnicas de proceso avanzadas para alcanzar extremadamente - en-resistencia baja por área del silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad que cambia rápida y el diseño construido sólidamente del dispositivo para los cuales los MOSFETs del poder de HEXFET son bien sabido, provee del diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el uso en una amplia variedad de usos.

El paquete TO-247 se prefiere para los usos comercial-industriales donde los niveles de mayor potencia impiden el uso de los dispositivos TO-220. El TO-247 es similar pero superior al paquete anterior TO-218 debido a su agujero de montaje aislado.

Grados máximos absolutos

Parámetro Máximo. Unidades
Identificación @ TC = 25°C Corriente continua del dren, VGS @ 10V 50
Identificación @ TC = 100°C Corriente continua del dren, VGS @ 10V 35
IDM Corriente pulsada del dren 200
Paladio @TC = 25°C Disipación de poder 300
Factor que reduce la capacidad normal linear 2,0 W/°C
VGS Voltaje de la Puerta-a-fuente ±20 V
EAS Sola energía de la avalancha del pulso 560 mJ
IAR ¿Corriente de la avalancha? 50
OÍDO ¿Energía repetidor de la avalancha? 30 mJ
dv/dt Recuperación máxima dv/dt del diodo 10 V/ns
TJ, TSTG Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento -55 a +175 °C
Temperatura que suelda, por 10 segundos 300 (1.6m m de caso) °C
Montando el esfuerzo de torsión, 6-32 o el srew M3 lbfïin 10 (el 1.1Nïm)

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Cantidad Marca D/C Paquete
LM2662MX 5344 TI 16+ SOP-8
LM2663M 6856 NS 16+ SOP-8
LM2675MX-5.0 5274 TI 16+ SOP-8
LM2675MX-ADJ 5415 TI 15+ SOP-8
LM2734YMK 12799 TI 16+ SOT23-6
LM2767M5X 6927 NSC 16+ SOT23-5
LM2825N-ADJ 1525 NSC 06+ DIP-24
LM2842YMK-ADJL 4655 TI 16+ SOT23-6
LM285MX-1.2 5929 NS 16+ SOP-8
LM2901DR2G 104000 EN 13+ COMPENSACIÓN
LM2902DR2G 77000 EN 15+ COMPENSACIÓN
LM2903DR2G 107000 EN 15+ COMPENSACIÓN
LM2903IMX 13191 FSC 11+ SOP-8
LM2904DR2G 82000 EN 16+ SOP-8
LM2904MX 11700 NS 15+ SOP-8
LM2904P 20000 TI 16+ TSSOP-8
LM2904QPWRQ1 6065 TI 14+ TSSOP-8
LM2907N-8 8781 NS 97+ DIP-8
LM2917N-8 6580 NS 13+ DIP-8
LM2931AD-5.0R2G 19723 EN 16+ SOP-8
LM2931CDR2G 14829 EN 16+ SOP-8
LM2931CDR2G 10000 EN 15+ SOP-8
LM2936MPX-3.3 9351 TI 14+ SOT-223
LM2936Z-5.0 3406 NS 05+ TO-92
LM2937ESX-3.3 9135 NSC 07+ TO-263
LM2937IMPX-3.3 1862 TI 16+ SOT-223
LM2940CSX-5.0 8095 NS 14+ TO-263
LM2940S-5.0 10367 NS 16+ TO-263
LM2940SX-5.0 8852 NS 15+ TO-263
LM2941CT 5900 NS 00+ TO-220

Carro de la investigación 0