Estos dispositivos complementarios son versiones de un poder más bajo los transistores de la salida audio popular de NJW3281G y de NJW1302G. Con linearidades del aumento y funcionamiento superiores del área de funcionamiento seguro, estos transistores son ideales para las etapas de alta fidelidad de la salida del amplificador audio y otros usos lineares.

Características

•Área de funcionamiento seguro excepcional

•Aumento de NPN/PNP que hace juego dentro del 10% a partir de 50 mA a 3 A

•Linearidades excelentes del aumento

•Alto BVCEO

•De alta frecuencia

•Éstos son dispositivos Pb-libres Bene

Ventajas

•Funcionamiento confiable en las mayores potencias

•Características simétricas en configuraciones complementarias •Reproducción exacta de la señal entrada

•Mayor rango dinámico

•Alto App del ancho de banda del amplificador

GRADOS MÁXIMOS

Grado	Símbolo	Valor	Unidad
Voltaje del Colector-emisor	VCEO	250	VDC
Voltaje de la Colector-base	VCBO	250	VDC
Voltaje de la Emisor-base	VEBO	5,0	VDC
Voltaje del Colector-emisor - 1,5 V	VCEX	250	VDC

Transistor complementario del Mosfet del poder de NJW0302G que cambia, NPN - transistores bipolares del poder de PNP

Chip CI de memoria Flash

Chip CI programable

Chips CI del ordenador

Conductor ICs del LED

Gestión ICs del poder

Microprocesadores del circuito integrado

Unidad del microcontrolador de MCU

Conductor ICs de la exhibición

Módulo de poder de IGBT

Chips CI del amplificador

chips CI electrónicos

Componentes electrónicos

Transistor complementario del Mosfet del poder de NJW0302G que cambia, NPN - transistores bipolares del poder de PNP

Transistores bipolares del poder complementario de NPN-PNP

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