2SC5200/FJL4315
Transistor epitaxial del silicio de NPN
Usos
• Amplificador de alta fidelidad de la salida audio
• Amplificador de potencia de fines generales
Características
• Capacidad de gran intensidad: IC = 15A.
• Disipación de poder más elevado: 150watts.
• De alta frecuencia: 30MHz.
• Alto voltaje: VCEO=230V
• S.O.A ancho para la operación confiable.
• Linearidades excelentes del aumento para THD bajo.
• Complemento a 2SA1943/FJL4215.
• Los modelos termales y eléctricos de la especia están disponibles.
• El mismo transistor está también disponible adentro:
-- Paquete de TO3P, 2SC5242/FJA4313: 130 vatios
-- TO220 paquete, FJP5200: 80 vatios
-- Paquete de TO220F, FJPF5200: 50 vatios
Ratings* máximo absoluto TA = 25°C a menos que se indicare en forma diferente
| Símbolo |
Parámetro |
Grados |
Unidades |
| BVCBO |
Voltaje de la Colector-base |
230 |
V |
| BVCEO |
Voltaje del Colector-emisor |
230 |
V |
| BVEBO |
Voltaje de la Emisor-base |
5 |
V |
| IC |
Corriente de colector (DC) |
15 |
|
| IB |
Corriente baja |
1,5 |
|
| Paladio |
Disipación total del dispositivo (TC =25°C)
Reduzca la capacidad normal sobre 25°C
|
150
1,04
|
W
W/°C
|
| TJ, TSTG |
Temperatura del empalme y de almacenamiento |
- 50 ~ +150 |
°C |
* estos grados son los valores límites sobre los cuales la utilidad de cualquier dispositivo de semiconductor puede ser empeorada.
Characteristics* termal Ta=25°C a menos que se indicare en forma diferente
| Símbolo |
Parámetro |
Máximo |
Unidades |
| RθJC |
Resistencia termal, empalme a encajonar |
0,83 |
°C/W |
* dispositivo montado en tamaño mínimo del cojín
clasificación del hFE
| Clasificación |
R |
O |
| hFE1 |
55 ~ 110 |
80 ~ 160 |
Características típicas
Dimensiones del paquete
