Oferta común (venta caliente)
| Número de parte. |
Cantidad |
Marca |
D/C |
Paquete |
| STU404D |
5000 |
SAMHOP |
15+ |
TO252 |
| TB6560AHQ |
5000 |
TOSHIBA |
16+ |
CREMALLERA |
| TC4001BP |
5000 |
TOSHIBA |
16+ |
DIP-14 |
| TCA785 |
5000 |
INFINECN |
14+ |
INMERSIÓN |
| TCN75AVOA |
5000 |
MICROCHIP |
14+ |
SOIC-8 |
| TCN75AVOA713 |
5000 |
MICROCHIP |
14+ |
SOP8 |
| TDA1524A |
5000 |
|
16+ |
INMERSIÓN |
| TL072CP |
5000 |
TI |
16+ |
DIP8 |
| TLP127 |
5000 |
TOSHIBA |
13+ |
COMPENSACIÓN |
| TLP620-4 |
5000 |
TOSHIBA |
15+ |
INMERSIÓN |
| TOP244YN |
5000 |
PODER |
16+ |
TO-220 |
| TS274CDT |
5000 |
ST |
16+ |
SOP-14 |
| TS924AIDT |
5000 |
ST |
14+ |
SOP-14 |
| ST DE UC3844BD |
5000 |
ST |
14+ |
SOP8 |
| UDA1341TS |
5000 |
|
14+ |
SSOP28 |
| VIPER22A |
5000 |
ST |
16+ |
DIP-8 |
| VLF4012AT-4R7M1R1 |
5000 |
TDK |
16+ |
SMD |
| PBSS5160T |
5001 |
|
13+ |
SOT-23 |
| PL2303 |
5001 |
PROLÍFICO |
15+ |
SSOP |
| NDT451AN |
5002 |
FSC |
16+ |
SOT223 |
| MAX1681ESA |
5008 |
MÁXIMA |
16+ |
SOP8 |
| HFJ11-2450E-L12 |
5009 |
HALOELECT |
14+ |
RJ45 |
| L6598 |
5010 |
ST |
14+ |
SOP16 |
| ZM4744A |
5100 |
VISHAY |
14+ |
LL41 |
| HCNW136 |
5101 |
AVAGO |
16+ |
DIP8 |
| CQ1565RT |
5111 |
FAIRCHILD |
16+ |
TO-220 |
| FZT758TA |
5111 |
ZETEX |
13+ |
SOT223 |
| LM324DR |
5111 |
TI |
15+ |
SOP-14 |
| TFA9842 |
5112 |
|
16+ |
CREMALLERA |
| MAX483ESA |
5117 |
MÁXIMA |
16+ |
SOP-8 |
IRFZ44NPbF
MOSFET del poder de HEXFET®
- ¿Tecnología de proceso avanzada?
- ¿En-resistencia ultrabaja?
- ¿Grado dinámico de dv/dt?
- ¿temperatura de funcionamiento 175°C?
- ¿Transferencia rápida?
- ¿Completamente avalancha clasificada?
- Sin plomo
VDSS = 55V
RDS (encendido) = 17.5mΩ
Identificación = 49A
Descripción
Los MOSFETs avanzados del poder de HEXFET® del rectificador internacional utilizan técnicas de proceso avanzadas para alcanzar extremadamente - en-resistencia baja por área del silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad que cambia rápida y el diseño construido sólidamente del dispositivo para los cuales los MOSFETs del poder de HEXFET son bien sabido, provee del diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el uso en una amplia variedad de usos.
El paquete TO-220 se prefiere universal para todos los usos comercial-industriales en los niveles de la disipación de poder a aproximadamente 50 vatios. La resistencia termal baja y el coste bajo del paquete del TO-220 contribuyen a su aceptación amplia en la industria.
Grados máximos absolutos
| |
Parámetro |
Máximo. |
Unidades |
| Identificación @ TC = 25°C |
Corriente continua del dren, VGS @ 10V |
49 |
|
| Identificación @ TC = 100°C |
Corriente continua del dren, VGS @ 10V |
35 |
|
| IDM |
¿Corriente pulsada del dren? |
160 |
|
| Paladio @TC = 25°C |
Disipación de poder |
94 |
W |
| |
Factor que reduce la capacidad normal linear |
0,36 |
W/°C |
| VGS |
Voltaje de la Puerta-a-fuente |
± 20 |
V |
| IAR |
¿Corriente de la avalancha? |
25 |
|
| OÍDO |
¿Energía repetidor de la avalancha? |
9,4 |
mJ |
| dv/dt |
Recuperación máxima dv/dt del diodo |
5,0 |
V/ns |
|
TJ
TSTG
|
Empalme de funcionamiento y
Gama de temperaturas de almacenamiento
|
-55 a + 175 |
°C |
| |
Temperatura que suelda, por 10 segundos |
300 (1.6m m de caso) |
°C |
| |
Montando el esfuerzo de torsión, 6-32 o el srew M3 |
10 lbf•en (1.1N•m) |
|
Esquema del paquete de TO-220AB
Las dimensiones se muestran en los milímetros (las pulgadas)
Información de marcado de la pieza de TO-220AB
