Semiconductor de Mosfet complementario de los transistores de poder del silicio MJ15025G
− MJ15023, MJ15025* DE PNP
Transistores de poder del silicio
Los MJ15023 y los MJ15025 son transistores de poder de PowerBase diseñados para el audio del poder más elevado, los posicionadores principales del disco y otros usos lineares.
Características
• Alta área de funcionamiento seguro (el 100% probado) −2 A @ 80 V
• Alto hFE del − del aumento actual de DC = 15 (minuto) @ IC = 8 ADC
• Los paquetes de Pb−Free son Available*
MJ1502x = código de dispositivo
x = 3 o 5
G = paquete de Pb−Free
= ubicación de la asamblea
Y = año
WW = semana de trabajo
MEX = país de origen
INFORMACIÓN EL ORDENAR
| Dispositivo |
Paquete |
Envío |
| MJ15023 |
TO−204 |
100 unidades/bandeja |
| MJ15023G |
TO−204
(Pb−Free)
|
100 unidades/bandeja |
| MJ15025 |
TO−204 |
100 unidades/bandeja |
| MJ15025G |
TO−204
(Pb−Free)
|
100 unidades/bandeja |
Hay dos limitaciones en la capacidad powerhandling de un transistor: temperatura de empalme media y segunda avería. Las curvas del área de funcionamiento seguro indican que el − VCE de IC limita del transistor que se debe observar para la operación confiable; es decir, el transistor no se debe sujetar a la mayor disipación que las curvas indican.
Los datos del cuadro 1 se basan en TJ (PK) = 200C; El TC es variable dependiendo de condiciones. En las altas temperaturas de caso, las limitaciones termales reducirán el poder que se puede manejar a los valores menos que las limitaciones impuestas por la segunda avería.
CARACTERÍSTICAS TÍPICAS
