Lista COMÚN
| MRF184 |
6393 |
MOT |
14+ |
SMD |
| MURS140 |
25000 |
EN |
16+ |
DO-214 |
| BGY68 |
3500 |
|
14+ |
MOKUAI |
| PESD5V2S2UT |
25000 |
|
16+ |
BORRACHÍN |
| LM26CIM5-TPA |
5000 |
NSC |
14+ |
SOT-23-5 |
| CM1200HB-66H |
213 |
MITSUBI |
14+ |
MÓDULO |
| LPC11C24FBD48 |
4833 |
|
15+ |
LQFP-48 |
| CM30TF-24H |
313 |
MITSUBI |
15+ |
MÓDULO |
| 7MBR50SB120 |
230 |
FUJI |
12+ |
MÓDULO |
| MAX209EWG |
7850 |
MÁXIMA |
14+ |
COMPENSACIÓN |
| LXT970AQC |
4907 |
LEVELONE |
10+ |
QFP |
| MSP430FG4619IPZ |
6834 |
TI |
16+ |
LQFP |
| NCP1052ST136T3G |
9280 |
EN |
16+ |
SOT-223 |
| MAX17121ETG |
6550 |
MÁXIMA |
16+ |
QFN |
| MAC97A6 |
25000 |
EN |
16+ |
TO-92 |
| MPC89E58AF |
5910 |
MEGAWIN |
16+ |
PQFP |
| CS4398-CZZR |
2234 |
CIRRO |
15+ |
TSSOP |
| LC4064V-75TN100-10I |
3070 |
ENREJADO |
15+ |
QFP |
| ME0550-02DA |
595 |
IXYS |
14+ |
IGBT |
| MDD26-14N1B |
5902 |
IXYS |
16+ |
IGBT |
| MT9V024IA7XTM |
2499 |
EN |
15+ |
BGA |
| MCC21-1408B |
4756 |
IXYS |
14+ |
IGBT |
| CM100DU-24NFH |
378 |
MITSUBI |
15+ |
MÓDULO |
| 6RI100E-080 |
958 |
FUJI |
15+ |
MÓDULO |
| PM150RSD060 |
250 |
MITSUBISH |
10+ |
MOUDLE |
| PK160F-160 |
120 |
SANREX |
11+ |
MÓDULO |
| LC540 |
3081 |
TI |
15+ |
TSSOP |
| OP20FZ |
596 |
ANUNCIO |
16+ |
CDIP |
| PCA9554PWR |
12420 |
TI |
16+ |
TSSOP |
| M1494NC180 |
479 |
WESTCODE |
14+ |
MÓDULO |
| LM4890MM |
30000 |
NSC |
15+ |
MSOP-8 |
| MHW6342T |
6304 |
MOT |
15+ |
CATV |
| CM450HA-5F |
233 |
MITSUBI |
14+ |
MÓDULO |
| PM200RSD060 |
230 |
MITSUBISH |
05+ |
MOUDLE |
MOSFET del poder de HEXFET®
¿? ►Proceso avanzado
►¿Tecnología? ¿Grado dinámico de dv/dt?
►¿temperatura de funcionamiento 175°C?
►¿Transferencia rápida?
►¿Completamente avalancha clasificada?
►¿Facilidad de ser paralelo a?
►Requisitos simples de la impulsión
►¿? Sin plomo
Descripción
Los MOSFETs del poder de la quinta generación HEXFET® del rectificador internacional utilizan técnicas de proceso avanzadas para alcanzar extremadamente - en-resistencia baja por área del silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad que cambia rápida y el diseño construido sólidamente del dispositivo para los cuales los MOSFETs del poder de HEXFET son bien sabido, provee del diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el uso en una amplia variedad de usos.
El paquete TO-220 se prefiere universal para todos los usos comercial-industriales en los niveles de la disipación de poder a aproximadamente 50 vatios. La resistencia termal baja y el coste bajo del paquete del TO-220 contribuyen a su aceptación amplia en la industria.
El D2Pak es un paquete superficial del poder del soporte capaz de acomodar a morir los tamaños hasta HEX-4. Proporciona la capacidad del poder más alto y el onresistance posible más bajo de cualquier paquete superficial existente del soporte. El D2Pak es conveniente para los usos de gran intensidad debido a su resistencia interna baja de la conexión y puede disiparse hasta 2.0W en un uso superficial típico del soporte.
La versión del por-agujero (IRF640NL) está disponible para el uso lowprofile
