Componentes de R1LP0408CSP-7LC Electrnic IC Chips Integrated Circuit IC
los 4M SRAM (512-kword] de 8 bits
Una parte de la lista común
| C.I MM74HC164MX |
FSC |
P0552AD/P9FAD |
SOP-14 |
| DIODO BYG23M-E3/TR |
VISHAY |
1632 |
SMA |
| DIODO SML4742A-E3/61 |
VISHAY |
1632/12 |
SMA |
| DIODO BYG23M-E3/TR |
VISHAY |
1632 |
SMA |
| DIODO SML4742A-E3/61 |
VISHAY |
1632/12 |
SMA |
| RES 2010 330R el 5% CRCW2010330RJNEF |
VISHAY |
1612 |
SMD2010 |
| RES 2010 68K el 5% CRCW201068K0JNEF |
VISHAY |
1612 |
SMD2010 |
| C.I MCP6S26-I/SL |
MICROCHIP |
16255C4 |
SOP-14 |
| ACOPLADOR. PC817A |
SOSTENIDO |
2016.08.10/H33 |
DIP-4 |
| TRANSPORTE LOS 2SS52M |
Honeywell |
2SSM/523-LF |
TO-92 |
| C.I SCC2691AC1D24 |
|
1149+ |
SOP-24 |
| C.I TP3057WM |
TI |
XM33AF |
SOP-16 |
| C.I CD14538BE |
TI |
33ADS8K |
DIP-16 |
| C.I CL2N8-G |
MICROCHIP |
CL2C |
SOT-89 |
| C.I SN75179BP |
TI |
57C50DM |
DIP-8 |
| C.I L6219DS |
ST |
135 |
SOP-24 |
| CASQUILLO 1210 470PF 1KV NP0 CL32C471JIINNNE |
SAMSUNG |
AC7JO2H |
SMD1210 |
| INDUTOR 3.3UH SLF6045T-3R3N2R8-3PF |
TDK |
YA16H0945122/3R3 |
SMD6045 |
| CASQUILLO ELCO SMD 2.2UF 50V EEE-1HA2R2SR |
CACEROLA |
Y1628F843536/2.2/50V/SYK |
SMD4*5.4 |
| C.I 24LC256-I/SN |
MICROCHIP |
1636M6G |
SOP-8 |
| CASQUILLO ELCO SMD 150UF 25V UCD1E151MNL1GS |
NICHICON |
160602/150/25V/H72 |
SMD8*10.5 |
| RES RC0805JR-0727RL |
YAGEO |
1538 |
SMD0805 |
| C.I SN75240PW |
TI |
11/A75240 |
MSOP-8 |
| RES RC0805JR-0715KL |
YAGEO |
1637 |
SMD0805 |
| CASQUILLO CER 0805 1UF 10V X7R LMK212BJ105MG-T |
TAIYOYUDEN |
1608 |
SMD0805 |
| CASQUILLO CER 0805 4.7UF 50V X5R CL21A475KBQNNNE |
SAMSUNG |
AC7JO2H |
SMD0805 |
| RES 0805 28K7 RC0805FR-0728K7L el 1% |
YAGEO |
1638 |
SMD0805 |
| CASO 0805RC0805JR-073K3L del RES 3K3 el 5% |
YAGEO |
1623 |
SMD0805 |
| TRIAC BTA26-600BRG |
ST |
628 |
TO-3P |
| CASQUILLO 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB |
TDK |
IB16F15763SD |
SMD0805 |
Descripción
El R1LP0408C-C es un 4-Mbit que RAM estático organizó el × de 512 kword de 8 bits. R1LP0408 C-C Series ha realizado un rendimiento más de alta densidad, más alto y el bajo consumo de energía empleando la tecnología de proceso del Cmos (célula de memoria 6-transistor). El R1LP0408 C-C Series ofrece a energía baja la disipación de poder espera; por lo tanto, es conveniente para los sistemas de copia de seguridad de batería. Ha empaquetado en la COMPENSACIÓN de 32 pernos, 32 perno TSOP II.
Características
• Sola fuente de 5 V: ± el 10% de 5 V
• Tiempo de acceso: 55/70 ns (máximo)
• Disipación de poder: activo: recurso seguro del de 10 mW/MHz (tipo): µW 4 (tipo)
• Memoria totalmente estática. ningún reloj o estroboscópico que mide el tiempo requerido
• Igualdad de acceso y duraciones de ciclo
• Entrada y salida comunes de datos. salida del estado del tres
• Directamente TTL compatible. todas las entradas y salidas
• Operación de reserva de batería.
• Temperatura de funcionamiento: −20 a +70°C
Pin Arrangement
