Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

Manufacturer from China
Miembro activo
3 Años
Casa / Productos / Integrated Circuit Chips /

NL17SZ17DFT2G IC Chips Single Non-Inverting Buffer con el disparador de Schmitt

Contacta
Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:MsDoris Guo
Contacta

NL17SZ17DFT2G IC Chips Single Non-Inverting Buffer con el disparador de Schmitt

Preguntar último precio
Number modelo :NL17SZ17DFT2G
Lugar del origen :Fábrica original
Cantidad de orden mínima :10pcs
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :9300pcs
Plazo de expedición :1 día
Detalles de empaquetado :Éntreme en contacto con por favor para los detalles
Descripción :Almacenador intermediario, No-invirtiendo 1 elemento 1 mordido por la salida de vaivén SC-88A (SC-70
Voltaje de fuente de DC :-0,5 a 7,0 V
Voltaje de entrada CC :≤ 7,0 V DE -0,5 ≤ VI
Voltaje de salida de CC :≤ 7,0 V DEL VO DE -0,5 ≤
Corriente de diodo de la entrada CC :-50 mA
Corriente de diodo de la salida de DC :-50 mA
Temperatura de almacenamiento :-65 a 150 °C
more
Contacta

Add to Cart

Buscar vídeos similares
Ver descripción del producto

NL17SZ17

Solo almacenador intermediario de Non−Inverting con el disparador de Schmitt

El NL17SZ17 es un solo almacenador intermediario del disparador de Non−inverting Schmitt en dos paquetes minúsculos de la huella. El dispositivo realiza mucho como productos del multi−gate de LCX en velocidad y la impulsión.

Características

• Paquetes minúsculos SOT−353 y SOT−553

• Fuente/fregadero 24 mA en 3,0 voltios

• Entradas y salidas tolerantes de la sobretensión

• Chip Complexity: FETs = 20

• Diseñado para 1,65 V a la operación de 5,5 V VCC

• Los paquetes de Pb−Free están disponibles

GRADOS MÁXIMOS

Símbolo Parámetro Valor Unidad
VCC Voltaje de fuente de DC -0,5 a 7,0 V V
VI Voltaje de entrada CC ≤ 7,0 V DE -0,5 ≤ VI V
Vo Voltaje de salida de DC Salida en el estado alto o BAJO (nota 1) ≤ 7,0 del Vo de -0,5 ≤ V
IIK Corriente de diodo de la entrada CC VI< GND=""> -50 mA
IOK Corriente de diodo de la salida de DC Vo< GND=""> -50 mA
IO Corriente del fregadero de la salida de DC ¿? ±50 mA
ICC Corriente de la fuente de DC por el Pin de la fuente ±100 mA
IGND DC molió la corriente por el Pin de tierra ±100 mA
TSTG Gama de temperaturas de almacenamiento -65 a 150 °C
TL Temperatura de la ventaja, 1 milímetro del caso por 10 segundos 260 °C
TJ Temperatura de empalme bajo prejuicio +150 °C
¿? θJA

Resistencia termal SOT−353 (nota 2)

SOT−553

350

496

°C/W
Paladio

Disipación de poder en aire inmóvil en 85°C SOT−353

SOT−553

186

135

mW
MSL Sensibilidad de humedad Nivel 1
Franco Grado de la inflamabilidad Índice del oxígeno: 28 a 34 UL 94 V−0 @ 0,125 adentro
ILatchup

Funcionamiento de Latchup sobre VCC y debajo de la tierra en 85°C

(Nota 6)

±500 mA
ESD

Clasificación del ESD Modelo del cuerpo humano (nota 3)

Modelo de máquina (nota 4)

Modelo cargado del dispositivo

Clase IC

Clase A

N/A

Los grados máximos son esos valores más allá de qué daño del dispositivo puede ocurrir. Los grados máximos se aplicaron al dispositivo son valores límites de la tensión individual (condiciones de funcionamiento no normales) y son inválidos simultáneamente. Si se exceden estos límites, la operación funcional del dispositivo no se implica, el daño puede ocurrir y la confiabilidad puede ser afectada.

1. El grado máximo absoluto del IO debe ser observado.

2. Medido con el espaciamiento mínimo del cojín en un tablero FR4, usando la pulgada 10 mm−by−1, rastro del cobre 2−ounce sin flujo de aire.

3. Probado a EIA/JESD22−A114−A, clasificado a EIA/JESD22−A114−B.

4. Probado a EIA/JESD22−A115−A, clasificado a EIA/JESD22−A115−A.

5. Probado a JESD22−C101−A.

6. Probado a EIA/JESD78.

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Cantidad Marca D/C Paquete
MRF559 4592 MOT 15+ TO-18
MRFG35003N6AT1 337 FREESCALE 15+ PLD1.5
MSA-0886-TR1G 6158 AVAGO 16+ SMT86
MSC1210Y5PAGR 1309 BB 15+ TQFP-64
MSM82C55A-2VJS 4663 OKI 13+ PLCC44
MSP430F1121AIDW 4734 TI 10+ SOIC-20
MSP430F1232IDW 8829 TI 08+ SOP-28
MSP430F155IPM 3146 TI 10+ QFP
MSP430F169IPMR 3331 TI 16+ QFP64
MSP430F247TPMR 4480 TI 16+ LQFP-64
MSP430F249TPMR 3709 TI 16+ QFP64
MSP430F417IPMR 6475 TI 16+ QFP64
MSP430F5310IPTR 2961 TI 15+ LQFP-48
MSP430F5328IRGCT 3860 TI 14+ VQFN-64
MSP430F5438AIPZR 2471 TI 16+ LQFP
MSP430F5510PTR 2900 TI 14+ LQFP-48
MSP430FG438IPNR 3781 TI 13+ QFP80
MSP430G2553IRHB32R 5083 TI 16+ QFN32
MSP430P315IDL 2889 TI 10+ SSOP-56
MSP5.0A-M3/89A 75000 VISHAY 15+ SMD
MSS1P3L-M3/89A 21000 VISHAY 13+ SMD
MT29C4G96MAZBACJG-5WT 2119 MICRÓN 16+ BGA
MT29F2G08ABAEAWP: E 6040 MICRÓN 15+ TSOP-48
MT29F2G16ABAEAWP: E 7036 MICRÓN 15+ TSOP-48
MT29F4G08ABADAWP: D 2912 MICRÓN 16+ TSOP-48
MT29F8G08ADADAH4-IT: D 2972 MICRÓN 14+ BGA
MT41J128M16HA-15E: D 2272 MICRÓN 13+ BGA
MT41K256M16HA-125: E 8138 MICRÓN 15+ BGA
MT46H32M16LFBF-6IT: C 3135 MICRÓN 12+ BGA
MT46H64M16LFBF-5IT 2231 MICRÓN 14+ FBGA

Carro de la investigación 0