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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MsDoris Guo

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Transistor de fines generales de KSP2907A

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Number modelo :KSP2907A

Lugar del origen :el 100% nuevo y original

Cantidad de orden mínima :100pcs

Condiciones de pago :T/T, Western Union, Payapl

Capacidad de la fuente :6000pcs

Plazo de expedición :1 día

Detalles de empaquetado :Éntreme en contacto con por favor para los detalles

Descripción :Transistor bipolar (BJT) PNP 60 V 600 mA 200MHz 625 mW a través del agujero TO-92-3

Voltaje de la Colector-base :-60 V

voltaje del Colector-emisor :-60 V

voltaje de la Emisor-base :-5 V

Corriente de colector :-600 mA

Disipación de poder del colector :625 mW

TEMPERATURA DE EMPALME :150 ºC

Temperatura de almacenamiento :-55 ~ °C 150

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KSP2907A

Transistor de fines generales

• Voltaje del Colector-emisor: VCEO= 60V

• Disipación de poder del colector: PC =625mW (máximo)

• Refiera a KSP2907 para los gráficos

Transistor epitaxial del silicio de PNP

Grados máximos absolutos Ta=25°C a menos que se indicare en forma diferente

Unidades del valor de parámetro del símbolo

Voltaje -60 V de la Colector-base de VCBO

Voltaje -60 V del Colector-emisor de VCEO

Voltaje -5 V de la Emisor-base de VEBO

Corriente de colector de IC -600 mA

Disipación de poder del colector de la PC 625 mW

Temperatura de almacenamiento del °C TSTG de la temperatura de empalme de TJ 150 -55 ~ °C 150

NEGACIÓN

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