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MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 del transistor de poder del Mosfet SI7461DP-T1-GE3

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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MsDoris Guo

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China MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 del transistor de poder del Mosfet SI7461DP-T1-GE3 wholesale

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MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 del transistor de poder del Mosfet SI7461DP-T1-GE3

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Number modelo :SI7139DP-T1-GE3

Cantidad de orden mínima :Éntrenos en contacto con

Condiciones de pago :Paypal, Western Union, TT

Capacidad de la fuente :50000 pedazos por día

Plazo de expedición :Las mercancías serán enviadas en el plazo de 3 días recibieron una vez el fondo

Detalles de empaquetado :SOT223

Descripción :MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8

Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente :1 V

Identificación - corriente continua del dren :A 14,4

Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente :60 V

Vgs - voltaje de la Puerta-fuente :10 V

Qg - carga de la puerta :121 nC

Paladio - disipación de poder :5,4 W

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MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 del transistor de poder del Mosfet SI7461DP-T1-GE3

CARACTERÍSTICAS

MOSFETs del poder de TrenchFET®
Clasificación material:

para las definiciones de la conformidad vea por favor www.vishay.com/doc?99912

RESUMEN DEL PRODUCTO
VDS (v)	RDS (encendido) ()	Identificación (a)
-60	0,0145 en VGS = -10 V	-14,4
-60	0,0190 en VGS = -4,5 V	-12,6

GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS (TA = °C 25, a menos que se indicare en forma diferente)
PARÁMETRO		SÍMBOLO	10 s	DE ESTADO ESTACIONARIO	UNIDAD
Voltaje de la Dren-fuente		VDS	-60		V
Voltaje de la Puerta-fuente		VGS	± 20
Corriente continua del dren (TJ = 150 °C) a	TA =25°C	Identificación	-14,4	-8,6
	TA =70°C		-11,5	-6,9
Corriente pulsada del dren		IDM	-60
Corriente de fuente continua (conducción) del diodo a		ES	-4,5	-1,6
Corriente de la avalancha	L = 0,1 Mh	IAS	50
Sola energía de la avalancha del pulso		EAS	125		mJ
Disipación de poder máxima a	TA =25°C	Paladio	5,4	1,9	W
	TA =70°C		3,4	1,2
Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento		TJ, Tstg	-55 a +150		°C
Recomendaciones que sueldan (temperatura máxima) b, c			260

GRADOS DE LA RESISTENCIA TERMAL
PARÁMETRO		SÍMBOLO	TÍPICO	MÁXIMO	UNIDAD
A Empalme-a-ambiente máxima	 10 s de t	RthJA	18	23	°C/W
A Empalme-a-ambiente máxima	De estado estacionario	RthJA	52	65
Empalme-a-caso máximo (dren)	De estado estacionario	RthJC	1	1,3

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