Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

Manufacturer from China
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3 Años
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MOSFETs del poder del MOSFET 30V N-Ch NexFET del transistor de poder del Mosfet de CSD17556Q5B

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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:MsDoris Guo
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MOSFETs del poder del MOSFET 30V N-Ch NexFET del transistor de poder del Mosfet de CSD17556Q5B

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Number modelo :CSD17556Q5B
Cantidad de orden mínima :Éntrenos en contacto con
Condiciones de pago :Paypal, Western Union, TT
Capacidad de la fuente :50000 pedazos por día
Plazo de expedición :Las mercancías serán enviadas en el plazo de 3 días recibieron una vez el fondo
Detalles de empaquetado :VSON-8
Descripción :MOSFET N-CH 30V 34A/100A 8VSON
Temperatura de funcionamiento mínima :- 55 C
Temperatura de funcionamiento máximo :+ 150 C
Paladio - disipación de poder :3,1 W
Configuración :Solo
Altura :1 milímetro
Longitud :6 milímetros
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MOSFETs del poder del MOSFET 30V N-Ch NexFET del transistor de poder del Mosfet de CSD17556Q5B

Características 1

  • Extremadamente - resistencia baja
  • Qg y Qgd ultrabajos

  • Resistencia Bajo-termal

  • Avalancha clasificada

  • Galjanoplastia terminal sin plomo

  • RoHS obediente

  • Halógeno libre

  • HIJO 5 milímetros de × paquete plástico de 6 milímetros

2 usos

  • Punto del dólar síncrono de la carga en establecimiento de una red, telecomunicaciones, y sistemas de cálculo

  • Rectificación síncrona

  • Usos activos del anillo o y del Hotswap

Descripción 3

Este 30-V, 1,2 mΩ, MOSFET del poder de 5 del milímetro milímetros NexFETTM del × 6 se diseña para minimizar pérdidas en la rectificación síncrona y otros usos de la conversión de poder.

Resumen del producto

TA = 25°C

VALOR TÍPICO

UNIDAD

VDS

Voltaje de la Dren-a-fuente

30

V

Qg

Total de la carga de la puerta (4,5 V)

30

nC

Qgd

Puerta-a-dren de la carga de la puerta

7,5

nC

RDS (encendido)

En-resistencia de la Dren-a-fuente

VGS = 4,5 V

1,5

VGS =10V

1,2

VGS (th)

Voltaje del umbral

1,4

V

Información del dispositivo

DISPOSITIVO

QTY

MEDIOS

PAQUETE

NAVE

CSD17556Q5B

2500

carrete 13-Inch

HIJO 5,00 milímetros de × paquete plástico de 6,00 milímetros

Cinta y carrete

CSD17556Q5BT

250

Grados máximos absolutos

TA = 25°C

VALOR

UNIDAD

VDS

Voltaje de la Dren-a-fuente

30

V

VGS

Voltaje de la Puerta-a-fuente

±20

V

Identificación

Continuo drene la corriente (Package Limited)

100

Continuo drene la corriente (Silicon Limited), TC = 25°C

215

Corriente continua del dren (1)

34

IDM

Corriente pulsada del dren, TA = 25°C (1) (2)

400

Paladio

Disipación de poder (1)

3,1

W

Disipación de poder, TC = 25°C

191

TJ, Tstg

Empalme de funcionamiento, temperatura de almacenamiento

– 55 a 150

°C

EAS

Energía de la avalancha, sola identificación =100A, L=0.1mH, RG =25Ω del pulso

500

mJ

Carro de la investigación 0