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MOSFETs del poder del MOSFET 30V N-Ch NexFET del transistor de poder del Mosfet de CSD17556Q5B
Características 1
Qg y Qgd ultrabajos
Resistencia Bajo-termal
Avalancha clasificada
Galjanoplastia terminal sin plomo
RoHS obediente
Halógeno libre
HIJO 5 milímetros de × paquete plástico de 6 milímetros
2 usos
Punto del dólar síncrono de la carga en establecimiento de una red, telecomunicaciones, y sistemas de cálculo
Rectificación síncrona
Usos activos del anillo o y del Hotswap
Descripción 3
Este 30-V, 1,2 mΩ, MOSFET del poder de 5 del milímetro milímetros NexFETTM del × 6 se diseña para minimizar pérdidas en la rectificación síncrona y otros usos de la conversión de poder.
Resumen del producto
TA = 25°C |
VALOR TÍPICO |
UNIDAD |
||
VDS |
Voltaje de la Dren-a-fuente |
30 |
V |
|
Qg |
Total de la carga de la puerta (4,5 V) |
30 |
nC |
|
Qgd |
Puerta-a-dren de la carga de la puerta |
7,5 |
nC |
|
RDS (encendido) |
En-resistencia de la Dren-a-fuente |
VGS = 4,5 V |
1,5 |
mΩ |
VGS =10V |
1,2 |
|||
VGS (th) |
Voltaje del umbral |
1,4 |
V |
Información del dispositivo
DISPOSITIVO |
QTY |
MEDIOS |
PAQUETE |
NAVE |
CSD17556Q5B |
2500 |
carrete 13-Inch |
HIJO 5,00 milímetros de × paquete plástico de 6,00 milímetros |
Cinta y carrete |
CSD17556Q5BT |
250 |
Grados máximos absolutos
TA = 25°C |
VALOR |
UNIDAD |
|
VDS |
Voltaje de la Dren-a-fuente |
30 |
V |
VGS |
Voltaje de la Puerta-a-fuente |
±20 |
V |
Identificación |
Continuo drene la corriente (Package Limited) |
100 |
|
Continuo drene la corriente (Silicon Limited), TC = 25°C |
215 |
||
Corriente continua del dren (1) |
34 |
||
IDM |
Corriente pulsada del dren, TA = 25°C (1) (2) |
400 |
|
Paladio |
Disipación de poder (1) |
3,1 |
W |
Disipación de poder, TC = 25°C |
191 |
||
TJ, Tstg |
Empalme de funcionamiento, temperatura de almacenamiento |
– 55 a 150 |
°C |
EAS |
Energía de la avalancha, sola identificación =100A, L=0.1mH, RG =25Ω del pulso |
500 |
mJ |