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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MsDoris Guo

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Transistor de poder del Mosfet STP110N8F6 110 A, MOSFET del poder de STripFET F6 en un paquete TO-220

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Number modelo :STP110N8F6

Cantidad de orden mínima :Éntrenos en contacto con

Condiciones de pago :Paypal, Western Union, TT

Capacidad de la fuente :50000 pedazos por día

Plazo de expedición :Las mercancías serán enviadas en el plazo de 3 días recibieron una vez el fondo

Detalles de empaquetado :TO-220

Descripción :MOSFET N-CH 80V 110A TO220

Paladio - disipación de poder :200 W

Temperatura de funcionamiento máximo :+ 175 C

Temperatura de funcionamiento mínima :- 55 C

Qg - carga de la puerta :150 nC

Vgs - voltaje de la Puerta-fuente :10 V

Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente :2,5 V

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Transistor de poder del Mosfet STP110N8F6 110 A, MOSFET del poder de STripFET F6 en un paquete TO-220

Características

Código de orden	VDS	RDS (encendido) máximo	Identificación	PTOT
STP110N8F6	80 V	0,0065 Ω	110 A	200 W

En-resistencia muy baja
Carga baja misma de la puerta
Alta aspereza de la avalancha
Apagón bajo de la impulsión de la puerta

Usos

• Usos que cambian

Descripción

Este dispositivo es un MOSFET del poder del canal N se convirtió usando la tecnología de STripFETTM F6 con una nueva estructura de la puerta del foso. El MOSFET resultante del poder exhibe el RDS muy bajo (encendido) en todos los paquetes.