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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MsDoris Guo

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Conductor Circuit, transistor de transferencia del poder PowerTrench del Mosfet del canal de FDMS6681Z P

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Number modelo :FDMS6681Z

Cantidad de orden mínima :Éntrenos en contacto con

Condiciones de pago :Paypal, Western Union, TT

Capacidad de la fuente :50000 pedazos por día

Plazo de expedición :Las mercancías serán enviadas en el plazo de 3 días recibieron una vez el fondo

Detalles de empaquetado :QFN8

Descripción :P-canal 30 V 21.1A (TA), 49A (Tc) 2.5W (TA), 73W (Tc) soporte 8-PQFN (5x6) de la superficie

Peso de unidad :0,002402 onzas

Tipo de producto :MOSFET

Temperatura de funcionamiento mínima :- 55 C

Temperatura de funcionamiento máximo :+ 150 C

Paladio - disipación de poder :2,5 W

Empaquetado :Corte la cinta

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P-canal PowerTrench del MOSFET -30V del transistor de poder del Mosfet de FDMS6681Z

Características

MΩ máximo 3,2 del rDS (encendido) = en VGS = -10 V, identificación = -21,1 A
MaxrDS (encendido) =5.0mΩatVGS =-4.5V, identificación =-15.7A
Combinación avanzada del paquete y del silicio para el rDS bajo (encendido)
Nivel de la protección de HBM ESD de 8kV típico (nota 3)
Diseño de paquete robusto MSL1
RoHS obediente

Descripción general

El FDMS6681Z se ha diseñado para minimizar pérdidas en usos del interruptor de la carga. Los adelantos en tecnologías del silicio y del paquete se han combinado para ofrecer el rDS más bajo (encendido) y la protección del ESD.

Usos

Interruptor de la carga en cuaderno y servidor
Gestión del poder de la batería del cuaderno

Etiquetas de productos:

power mosfet driver ic

power mosfet driver circuit

power mosfet driver

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