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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MsDoris Guo

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MOSFETs duales del transistor de poder del Mosfet del canal de CSD87312Q3E 2 30V N-CH NexFET Pwr

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Number modelo :CSD87312Q3E

Cantidad de orden mínima :Éntrenos en contacto con

Condiciones de pago :Paypal, Western Union, TT

Capacidad de la fuente :50000 pedazos por día

Plazo de expedición :Las mercancías serán enviadas en el plazo de 3 días recibieron una vez el fondo

Detalles de empaquetado :QFN

Descripción :MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON

Modo del canal :Aumento

Configuración :Dual

Temperatura de funcionamiento mínima :- 55 C

Temperatura de funcionamiento máximo :+ 125 C

Polaridad del transistor :Canal N

Número de canales :Canal 2

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MOSFETs duales del MOSFET 30V N-CH NexFET Pwr del transistor de poder del Mosfet de CSD87312Q3E

CARACTERÍSTICAS

Ection de CommonSourceConn
Ultr un L dren de o w para drenar En-resistencia
HIJO del ahorro de espacio paquete plástico de 3,3 x de 3.3m m
Optimizado para la impulsión de la puerta 5V
Resistencia termal baja
Avalancha clasificada
Galjanoplastia terminal libre del Pb
RoHS obediente
USOS libres del halógeno

USOS

Adaptor/USB entró la protección para el cuaderno
PC y tabletas

RESUMEN DEL PRODUCTO

TA = 25°C		VALOR TÍPICO		UNIDAD
VDS	Drene al voltaje de la fuente	30		V
Qg	Total de la carga de la puerta (4.5V)	6,3		nC
Qgd	Puerta de la carga de la puerta a drenar	0,7		nC
RDD (encendido)	Drene para drenar en la resistencia (Q1+Q2)	VGS = 4.5V	31	mΩ
RDD (encendido)	Drene para drenar en la resistencia (Q1+Q2)	VGS = 8V	27	mΩ
VGS (th)	Voltaje del umbral	1,0		V

INFORMACIÓN EL ORDENAR

Dispositivo	Paquete	Medios	Qty	Nave
CSD87312Q3E	HIJO paquete plástico de 3,3 x de 3.3m m	13-en carrete del ch	2500	Cinta y carrete

GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS

TA = 25°C		VALOR	UNIDAD
VDS	Drene al voltaje de la fuente	30	V
VGS	Puerta al voltaje de la fuente	+10/-8	V
Identificación	(1) corriente continua del dren, TC = 25°C	27
IDM	Corriente pulsada del dren (2)	45
Paladio	Disipación de poder	2,5	W
TJ, TSTG	Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento	– 55 a 150	°C
EAS	Energía de la avalancha, sola identificación =24A, L=0.1mH, RG =25Ω del pulso	29	mJ

DESCRIPCIÓN

El CSD87312Q3E es 30V una común-fuente, dispositivo dual del canal N diseñado para la protección de la entrada de adaptor/USB. Este HIJO dispositivo de 3,3 x de 3.3m m tiene dren bajo para drenar la en-resistencia que minimiza pérdidas y ofrece la cuenta componente baja para los usos obligados espacio de la carga de batería de la multi-célula.