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equipo óptico de gama alta Uno mismo-desarrollado de la capa con 1200mm*500m m (modificado para requisitos particulares)

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Ciudad:chengdu
Provincia / Estado:sichuan
País/Región:china
Persona de contacto:MsTyra
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equipo óptico de gama alta Uno mismo-desarrollado de la capa con 1200mm*500m m (modificado para requisitos particulares)

Preguntar último precio
Number modelo :ALD1200-500
Lugar del origen :CHENGDU.P.R CHINA
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de la fuente :1 fijado en el plazo de 8 meses
Plazo de expedición :Entrega en el plazo de 8 meses después de firmar el contrato
Detalles de empaquetado :Embalaje de madera del caso
Nombre de producto :equipo de capa óptico de gama alta Uno mismo-desarrollado
Modelo :ALD1200-500
Área de aplicación :Dispositivo de MEMS, 3D que empaqueta, sensor, médico
Principio de funcionamiento :La deposición de Atomiclayer (ALD) es un método por el cual una sustancia se puede depositar en una
Estructura de la cámara de vacío :Modificado para requisitos particulares según necesidades del cliente
Exactitud de control del grueso :±0.1nm
Uniformidad del espesor del film :el ≦±0.5%
Gama de temperaturas de capa :Temperature-500℃ normal
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equipo óptico de gama alta Uno mismo-desarrollado de la capa con 1200mm*500m m (modificado para requisitos particulares)

 

 

Principio de funcionamiento

La deposición de Atomiclayer (ALD) es un método por el cual una sustancia se puede depositar en una capa del substrato por capa bajo la forma de sola película atómica.

 

Parámetro de la especificación

modelo ALD1200-500
Sistema de capa de la película AL2O3, TiO2, ZnO y etc.
Gama de temperaturas de capa Temperature-500℃ normal
Dimensiones de capa de la cámara de vacío Diámetro interno 1200m m, altura 500m m (adaptable)
Estructura de la cámara de vacío Modificado para requisitos particulares según necesidades del cliente
Vacío del fondo <5x10>-7mbar
Grueso de capa ≥0.15nm
Exactitud de control del grueso ±0.Inm

 

Área de aplicación

 
Dispositivo de MEMS
Placa electroluminiscente
exhibición
Material del almacenamiento
Acoplamiento inductivo
Batería de la película fina de la perovskita
empaquetado 3D
Uso de la luminiscencia
sensor
Batería de la carpa

 

Ventajas de la tecnología de ALD

El precursor es la absorción química saturada, que asegura la formación de una película uniforme de la área extensa.

②Los nanosheets de varios componentes y los óxidos mezclados pueden ser depositados.

③La uniformidad inherente de la deposición, escalamiento fácil, se puede aumentar proporcionalmente directamente.

④Puede ser aplicado extensamente a las diversas formas de la base.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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