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| Situación sin plomo/situación de RoHS: |
Sin plomo/RoHS obediente |
| Descripción detallada: |
Arsenal N del Mosfet y P-canal 20V 3.9A, 2.1A 1.4W, 1.3W soporte superficial 6-TSOP |
| Característica del FET: |
Puerta del nivel de la lógica |
| Poder - máximo: |
1.4W, 1.3W |
| Nivel de la sensibilidad de humedad (MSL): |
1 (ilimitado) |
| Fabricante Standard Lead Time: |
32 semanas |
| Tipo del FET: |
N y P-canal |
| Serie: |
TrenchFET® |
| Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: |
3.9A, 2.1A |
| Otros nombres: |
SI3585CDV-T1-GE3-ND SI3585CDV-T1-GE3TR |
| Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds: |
150pF @ 10V |
| Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: |
58 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: |
4.8nC @ 10V |
| Temperatura de funcionamiento: |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Puntos culminantes calientes de las ofertas
| Modelo del producto |
Marca |
| TLV9152QDGKRQ1 |
TI |
| ISO7831DWR |
TI |
| TPS562207SDRLR |
TI |
| TPS7B4253QPWPRQ1 |
TI |
| TPS25940AQRVCRQ1 |
TI |
| ISO7331FCQDWRQ1 |
TI |
| TPS22992RXPR |
TI |
| TPS62913RPUR |
TI |
| MPX2200AP |
|
| CCS811B-JOPD |
AMS |
Problema común
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