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| Situación sin plomo/situación de RoHS: |
Sin plomo/RoHS obediente |
| Descripción detallada: |
SRAM - Memoria asincrónica IC 16Mb (el 1M x 16) 10ns paralelo 54-TSOP II |
| Voltaje - fuente: |
3 V ~ 3,6 V |
| Tamaño de la memoria: |
16Mb (el 1M x 16) |
| Interfaz de la memoria: |
Paralelo |
| Escriba la duración de ciclo - palabra, página: |
10ns |
| Número de parte bajo: |
CY7C1061 |
| Otros nombres: |
428-1983 CY7C1061AV33-10ZXC-ND CY7C1061AV3310ZXC |
| Formato de la memoria: |
SRAM |
| Tecnología: |
SRAM - Asincrónico |
| Temperatura de funcionamiento: |
0°C ~ 70°C (TA) |
Puntos culminantes calientes de las ofertas
| Modelo del producto |
Marca |
| USB2514BI-AEZG |
Microchip |
| PIC12F1572-I/SN |
Microchip |
| MIC28515T-E/PHA |
Microchip |
| SI8235BD-D-ISR |
SKYWORKS |
| SI8233AD-D-ISR |
Laboratorios del silicio |
| PIC16F1507T-E/SS |
Microchip |
| PIC16F1508-I/SS |
Microchip |
| USB2514BT-I/M2 |
Microchip |
| MCP2561-E/MF |
Microchip |
| PIC16F1933-I/SS |
Microchip |
Problema común
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