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| Situación sin plomo/situación de RoHS: |
Sin plomo/RoHS obediente |
| Descripción detallada: |
FLASH - NI paralelo 110ns 56-TSOP (14x20) de IC 512Mb (los 64M x 8, los 32M x 16) de la memoria |
| Voltaje - fuente: |
2,7 V ~ 3,6 V |
| Tamaño de la memoria: |
512Mb (los 64M x 8, los 32M x 16) |
| Interfaz de la memoria: |
Paralelo |
| Escriba la duración de ciclo - palabra, página: |
110ns |
| Nivel de la sensibilidad de humedad (MSL): |
3 (168 horas) |
| Número de parte bajo: |
28F512M29EW |
| Otros nombres: |
557-1621 904393 904393-ND JS28F512M29EWH 904393 JS28F512M29EWHA-ND |
| Formato de la memoria: |
FLASH |
| Tecnología: |
FLASH - NI |
| Temperatura de funcionamiento: |
-40°C ~ 85°C (TA) |
Puntos culminantes calientes de las ofertas
| Modelo del producto |
Marca |
| GD32F103RCT6 |
GD |
| FAN3111ESX |
EN |
| ESDAXLC6-1BT2 |
ST |
| BTA16-600BWRG |
ST |
| STM32F756ZGT6 |
ST |
| STM32F765IIK6 |
ST |
| LIS2DE12TR |
ST |
| CYPD5225-96BZXIT |
CYPRESS |
| STM32WLE5CCU6 |
ST |
| STM8L051F3P6TR |
ST |
Problema común
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Q: ¿Cómo investigar/orden JS28F512M29EWHA?
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