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Piezas de la placa de circuito del MOSFET N-CH 100V 100A 8SON de Crystal Oscillator del circuito de CSD19532Q5B

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Ciudad:shenzhen
País/Región:china
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Piezas de la placa de circuito del MOSFET N-CH 100V 100A 8SON de Crystal Oscillator del circuito de CSD19532Q5B

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Number modelo :CSD19532Q5B
Condiciones de pago :D/A, T/T, Western Union
Plazo de expedición :1-2 días del trabajo
Detalles de empaquetado :Cinta y carrete (TR)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :100V
Paquete/caso :8-PowerTDFN
Montaje del tipo :Soporte superficial
Empaquetado :Cinta y carrete (TR)
Paquete del dispositivo del proveedor :8-VSON-CLIP (5x6)
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @: 3.2V @ 250µA
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Situación sin plomo/situación de RoHS: Contiene la ventaja/RoHS obedientes
Descripción detallada: Canal N 100V 100A (TA) 3.1W (TA), 195W (Tc) soporte 8-VSON-CLIP (5x6) de la superficie
Nivel de la sensibilidad de humedad (MSL): 1 (ilimitado)
Fabricante Standard Lead Time: 35 semanas
Tipo del FET: Canal N
Serie: NexFET™
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: 100A (TA)
Otros nombres: 296-37478-2 CSD19532Q5B-ND
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds: 4810pF @ 50V
Vgs (máximo): ±20V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: 4,9 mOhm @ 17A, 10V
Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: 62nC @ 10V
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)

 

Puntos culminantes calientes de las ofertas

 

Modelo del producto Marca
XC6VLX550T- 1FFG1759I XILINX
XCKU115-2FLVA2104I XILINX
XC7A200T-2FFG676I XILINX
XCZU17EG-2FFVC1760E XILINX
EP2C35F672I8N ALTERA
5CEBA2F23C8N ALTERA
XC7Z035-2FFG676E XILINX
XC5VLX50-1FFG324I XILINX
XC6VSX475T-1FFG1156I XILINX
XCKU060-1FFVA1517C XILINX

 

Problema común

Estamos confiados a proveer de clientes los productos de alta calidad y los servicios.
Q: ¿Cómo investigar/orden CSD19532Q5B?
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: Aceptamos T/T (alambre de banco), Paypal, Western Union.
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