Tecnología Co., Ltd. de la electrónica de Shenzhen Semicon

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Canal N del transistor de efecto de campo del Mosfet de la protección de CSD13381F4 12V ESD DQ XFDFN-3

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Tecnología Co., Ltd. de la electrónica de Shenzhen Semicon
Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:MrXie
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Canal N del transistor de efecto de campo del Mosfet de la protección de CSD13381F4 12V ESD DQ XFDFN-3

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Number modelo :CSD13381F4
Lugar del origen :CHINA
Cantidad de orden mínima :6 PCS
Condiciones de pago :T/T, T/T, D/P, D/A, L/C, D/P, L/C, Paypal, fideicomiso
Capacidad de la fuente :288000pcs/Day
Plazo de expedición :1 día
Detalles de empaquetado :Cartón estándar
Tipo :CSD13381F4
Temperatura de funcionamiento :-40°C ~ 85°C, temperatura normal
Nombre de producto :Arrancador de aprendizaje Kit Suite For Raspberry Pi del componente electrónico
Paquete/caso :SMD/DIP/SOP/QFP/BGA/TO/PLCC/QFN
Uso :Componets electrónico, ordenador
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Efecto de campo de la protección del canal N 12V ESD de CSD13381F4 DQ XFDFN-3 MOS Transistor

 

 

Cualidades valor de parámetro  
Catálogo de producto Transistor de efecto de campo (MOSFET)
tipo -
Voltaje de la Dren-fuente (Vdss) -
Corriente continua del dren (identificación) -
Poder (paladio) -
En-resistencia @Vgs (del RDS (encendido), identificación) -
Voltaje del umbral @Id (de Vgs (th)) -
Carga de la puerta (Qg@Vgs) -
Capacitancia entrada (Ciss@Vds) -
Capacitancia reversa de la transferencia (Crss@Vds) -

 

Canal N del transistor de efecto de campo del Mosfet de la protección de CSD13381F4 12V ESD DQ XFDFN-3
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