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Original Ssd M2 Nvme 4.0 Disco duro interno 7400mb/s Pcie Gen 4.0 X4 para juegos de PC

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Shenzhen Ayogoo Technology Co., Ltd.
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MrRoss
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Original Ssd M2 Nvme 4.0 Disco duro interno 7400mb/s Pcie Gen 4.0 X4 para juegos de PC

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Canal de vídeo
Número de modelo :I70
Lugar de origen :Guangdong, China
Cantidad mínima de pedido :1
Interfaz :M.2 PCIe 4.0
Capacidad :512 GB a 4 TB
Velocidad de lectura :Hasta 7450 MB/s
Velocidad de escritura :Hasta 6600 MB/s
Utilizado para :Servidor de escritorio de laptop
OEM/ODM :Bienvenido
Material de concha :Metal y plástico
Tamaño :80 mm (l) x22 mm (w) x2.4 mm (h)
Peso (paquete incluyendo) :100 g
El tiempo de entrega :2-10 días de trabajo
Términos de pago :L/C, T/T
Capacidad de suministro :1000+pieza+10 días
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Solución de almacenamiento de alto rendimiento con velocidad de lectura de 7400 MB/s utilizando tecnología TLC 3D NAND Flash.

Original Ssd M2 Nvme 4.0 Disco duro interno 7400mb/s Pcie Gen 4.0 X4 para juegos de PC
Especificaciones clave
Atributo Valor
Interfaz M.2 PCIe 4.0
Capacidad 512GB/1TB/2TB/4TB
Velocidad de lectura Hasta 7450 MB/s
Velocidad de escritura Hasta 6600 MB/s
Compatibilidad Computadora portátil, escritorio, servidor
Material de las cáscaras Metal y plástico
Las dimensiones El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Especificaciones básicas
  • Velocidad máxima de escritura secuencial: hasta 6600MB/s (máximo general; para capacidades de 1TB, 2TB y 4TB, la velocidad de escritura secuencial es estable hasta 6000MB/s)
  • Datos de prueba de escritura secuencial: para el modelo de 1 TB, las velocidades de escritura secuencial en las pruebas alcanzan 6655.18MB/s (SEQ1M Q8T1) y 6654.86MB/s (SEQ128K Q32T1)
  • Velocidad de escritura aleatoria (4KB): hasta 690.000 IOPS para capacidades de 1TB, 2TB y 4TB, lo que reduce la latencia al escribir archivos pequeños
Características de rendimiento
  • Tipo de memoria flash NAND: memoria flash NAND TLC (Tri-Level Cell) 3D de alta calidad (ofrece un equilibrio de rendimiento, durabilidad y rentabilidad en comparación con SLC y QLC;Apto para uso diario a largo plazo) Soporte para NAND Flash: Compatible con módulos flash NAND de alta velocidad con una velocidad de transmisión de 1600 MT/s, garantizando un intercambio de datos eficiente entre el flash NAND y el controlador
Personalización y soporte
  • OEM/ODM soportado con capas, logotipos y embalajes personalizados
  • 3 años de garantía del fabricante
  • Los artículos en stock se envían en 24 horas; pedidos personalizados en 7-15 días
Fabricante de confianza

Shenzhen Ayogoo Technology (ISO 9001/14001, CE, certificado RoHS) con críticas 100% positivas. Exportado a los EE.UU., Israel, Kazajstán y los mercados globales.

Aplicaciones ideales

Perfecto para sistemas de juegos, estaciones de trabajo profesionales y aplicaciones empresariales que requieren soluciones de almacenamiento duraderas y de alta velocidad.

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