Shaper Diamond Technology Co., Ltd
Se trata de la empresa Shaper Diamond Technology Co., Ltd.
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Aplicaciones
Los electrodos BDD (Boron-Doped Diamond) se destacan en la degradación de contaminantes orgánicos complejos en todas las industrias:
Residuos farmacéuticos/químicos
Productos derivados de la petroquímica y del coque
Colorantes textiles y efluentes de bronceado
Residuos de lixiviación de vertederos y explosivos
Agua residual de celulosa/papel y destilería
| - No, no es así. | Nombre del producto | Substrato | Especificaciones | Unidad |
| 1 | Electrodo BDD | De polietileno o de polietileno | 5*5*0,55 mm | Pieza |
| 2 | Electrodo BDD | De polietileno o de polietileno | 5*5*1,0 mm 2 agujeros abiertos |
Pieza |
| 3 | Electrodo BDD | De polietileno o de polietileno | 5*5*1,0 mm 4 agujeros abiertos |
Pieza |
| 4 | Electrodo BDD | De polietileno o de polietileno | 8*6*1 Las ranuras |
Pieza |
| 5 | Electrodo BDD | De polietileno o de polietileno | 7*7*0,5 mm | Pieza |
| 6 | Electrodo BDD | De polietileno o de polietileno | 10*10*0,625 mm | Pieza |
| 7 | Electrodo BDD | De polietileno o de polietileno | 10*10*0,625 mm | Pieza |
| 8 | Electrodo BDD | De polietileno o de polietileno | 10*10*0,5 mm | Pieza |
Ventajas de rendimiento
Eficiencia superior: superan a los electrodos PbO2/Pt en la degradación orgánica con un consumo de energía 30% menor
Generación de ozono ecológico: Producción de ozono libre de electrolitos para purificación de agua
Extrema durabilidad: Resiste la corrosión en ambientes químicos agresivos
Propiedades de los semiconductores
Banda ancha ultra ancha: 5,47 eV (5 × silicio ′s 1,1 eV) permite el funcionamiento del dispositivo a alta temperatura/alta frecuencia
Conductividad térmica: 2.200 W/mK (5× cobre) reduce el tamaño/peso de los componentes en amplificadores y láseres
Movilidad de los electrones: La mayor movilidad de agujeros entre los materiales de banda ancha, ideal para los IC de onda milimétrica
Métricas técnicas
Índice Johnson: 8.200 (frente a 410 para el SiC)
Índice Baliga: óptimo para los sistemas de conmutación de energía
Afinidad electrónica negativa: permite aplicaciones de cátodos fríos
Características clave
Conductividad térmica ajustable: 1.000 ¥1.800 W/mK (9 × silicio ¥139 W/mK)
Ingeniería de precisión:
Toleración de espesor: ±25 μm
La superficie es plana: < 4 μm/cm.
Finitura lateral de crecimiento: < 100 nm Ra
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Especificaciones estándar
Las dimensiones: hasta Ø65 mm (personalizable)
El grosor:
En bruto: 0,3 ∼1,5 mm
Polished: 0,2 ∼1,0 mm
Densidad: 3,5 g/cm3
Modulo de los jóvenes: 1.000 ¥ 1.100 GPa
Aplicaciones térmicas
Las demás instalaciones para la fabricación de diodos láser
Dispersores de calor de circuito integrado
Soluciones térmicas compactas para la electrónica aeroespacial