Productos proveedores Sign in Register

Servicios de gestión Co., LTD de la empresa del camino de seda de Pekín

Integrity management, solidarity and mutual help, innovation and change, pragmatism and efficiency.

Manufacturer from China
Evaluación de proveedor
7 Años
Casa Catalogo de productos Perfil de la compañía Control de calidad Contáctenos Solicitud de una cuota
Español
Casa / Productos / DRAM Memory Chip /

H5TC4G63CFR - módulo de la copita del chip de memoria 256MX16 Cmos PBGA96 de la COPITA de PBAR DDR3

Categorías de Producto

Microprocesador de procesador de la CPU

 [47]

Procesadores de la CPU del ordenador portátil

 [66]

Procesador del equipo de escritorio

 [19]

CPU del servidor

 [15]

Procesadores del dispositivo móvil

 [15]

Microprocesador de GPU

 [20]

Chipset Northbridge y Southbridge

 [19]

Chip de memoria de la COPITA

 [25]

Microprocesador de memoria Flash

 [16]

Chip de memoria del SSD

 [13]

Chip de memoria de EMMC

 [15]

Memoria de EMCP

 [15]

Chip de memoria de IC

 [10]
Contacta
Servicios de gestión Co., LTD de la empresa del camino de seda de Pekín
Visita el sitio web
País/Región:china
Persona de contacto:Mr
Ver detalles de contacto
Contacta
China H5TC4G63CFR - módulo de la copita del chip de memoria 256MX16 Cmos PBGA96 de la COPITA de PBAR DDR3 wholesale
  • China H5TC4G63CFR - módulo de la copita del chip de memoria 256MX16 Cmos PBGA96 de la COPITA de PBAR DDR3 wholesale

H5TC4G63CFR - módulo de la copita del chip de memoria 256MX16 Cmos PBGA96 de la COPITA de PBAR DDR3
Preguntar último precio
Número de modelo :H5TC4G63CFR-PBAR
Cantidad de orden mínima :un paquete
Condiciones de pago :T/T, Paypal, Western Union, fideicomiso y otros
Capacidad de la fuente :30 K por mes
Detalles de empaquetado :el 10cmX10cmX5cm
Nº de artículo :H5TC4G63CFR-PBAR
Anchura de la memoria :16
Densidad de memoria :4 GB
Paquete :PBGA-96
Memoria IC TypeLE :MÓDULO DE LA COPITA
more
Contacta

Add to Cart
Buscar vídeos similares
Ver descripción del producto

Memoria de la COPITA de H5TC4G63CFR-PBAR DDR3 (256MX16, Cmos, PBGA96)

H5TC4G63CFR - módulo de la copita del chip de memoria 256MX16 Cmos PBGA96 de la COPITA de PBAR DDR3

Las piezas son datos del doble de la energía baja 4Gb valoran (DDR3L) la COPITA síncrona III, adecuada idealmente para los usos de memoria principal que requiere densidad de memoria grande, alto ancho de banda y la operación de la energía baja en 1.35V. SK Hynix DDR3L SDRAM provee de compatibilidad con versiones anteriores el ambiente basado DDR3 1.5V sin ningunos cambios. SK Hynix 4Gb DDR3L
SDRAMs ofrece las operaciones completamente síncronas referidas a los bordes de levantamiento y que caen del reloj. Mientras que
todas las direcciones y entradas de control están trabadas en los bordes de levantamiento del reloj (bordes que caen del reloj),
los datos, estroboscópicos de los datos y escribir entradas de las máscaras de los datos se muestrean en los bordes de levantamiento y que caen de ellos. Los datos
las trayectorias internamente se canalizan y de 8 bits prefetched para alcanzar ancho de banda muy alto.

ESPECIFICACIONES

Descripción del paquete de Mfr FBGA-96
ALCANCE obediente Sí
UE RoHS obediente Sí
China RoHS obediente Sí
Situación Activo
Modo de acceso EXPLOSIÓN MULTI DE LA PÁGINA DEL BANCO
Código JESD-30 R-PBGA-B96
Densidad de memoria pedazo 4.294967296E9
Tipo de IC de la memoria MÓDULO DE LA COPITA
Anchura de la memoria 16
Número de funciones 1
Número de puertos 1
Número de terminales 96
Número de palabras palabras 2.68435456E8
Número de código de palabras los 256M
Modo de funcionamiento SÍNCRONO
Temperatura-minuto de funcionamiento 0,0 Cel
Funcionamiento Temperatura-máximo 85,0 Cel
Organización 256MX16
Material del cuerpo del paquete PLASTIC/EPOXY
Código del paquete TFBGA
Forma del paquete RECTANGULAR
Estilo del paquete ARSENAL DE LA REJILLA, PERFIL FINO, ECHADA FINA
Temperatura máxima del flujo (Cel) 260
Altura-máximo asentada 1,2 milímetros
Voltaje-Nom de la fuente (Vsup) 1,35 V
Voltaje-minuto de la fuente (Vsup) 1,283 V
Fuente Voltaje-máxima (Vsup) 1,45 V
Soporte superficial SÍ
Tecnología Cmos
Grado de la temperatura OTRO
Forma terminal BOLA
Echada terminal 0,8 milímetros
Posición terminal PARTE INFERIOR
Flujo de Time@Peak (s) Temperatura-máximo 20
Longitud 13,0 milímetros
Anchura 7,5 milímetros
Característica adicional AUTO/SELF RESTAURAN
Etiquetas de productos:

ddr2 533mhz 512mb memory module

ddr2 533mhz memory module

ddr3 1333 memory
Carro de la investigación 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4