Cuaderno de la base i3-4100M Mobile Processor (3M Cache, hasta 2,50 gigahertz)/procesador de escritorio de la CPU
La base i3-4100M es un procesador dual-core de la clase media para los ordenadores portátiles lanzados en Q2 2013. Se basa en la arquitectura de Haswell y se fabrica en 22nm. La deuda a Híper-roscar, los dos corazones puede manejar hasta cuatro hilos paralelamente que llevan para mejorar la utilización de la CPU. Cada base ofrece una velocidad baja de 2,5 gigahertz y no incluye ninguna ayuda del Turbo Boost.
Número i3-4100M del procesador
| Número del procesador | i3-4100M |
| Familia | Móvil de la base i3 |
| Tecnología (micrón) | 0,022 |
| Velocidad de procesador (gigahertz) | 2,5 |
| Tamaño del escondrijo L2 (KB) | 512 |
| Tamaño del escondrijo L3 (MB) | 3 |
| El número de corazones | 2 |
| EM64T | Apoyado |
| Tecnología de HyperThreading | Apoyado |
| Tecnología de la virtualización | Apoyado |
| Tecnología aumentada de SpeedStep | Apoyado |
| Característica mordida Ejecutar-neutralización | Apoyado |
Información general:
| Tipo | CPU/microprocesador |
| Segmento de mercado | Móvil |
| Familia | Móvil de Intel Core i3 |
| Número de modelo | i3-4100M |
| Número de parte de la CPU | - CW8064701486707 es un microprocesador de OEM/tray
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| Frecuencia | 2500 megaciclos |
| Velocidad del autobús | 5 GT/s DMI |
| Multiplicador del reloj | 25 |
| Paquete | 946-pin micro-PGA (rPGA946B) |
| Zócalo | Zócalo G3/rPGA946B |
| Tamaño | 1,48””/los 3.75cm los x 3.75cm de x 1,48 |
| Fecha de introducción | 1 de septiembre de 2013 (lanzamiento)
4 de junio de 2013 (aviso) |
| Fecha de la Fin-de-vida | La fecha pasada de la orden para los procesadores de la bandeja es el 1 de julio de 2016
La fecha pasada del envío para los procesadores de la bandeja es el 6 de enero de 2017 |
| números S-espec. |
| Número de parte | Procesadores de la producción | | | SR1HB | | CW8064701486707 | + | |
Arquitectura/Microarchitecture:
| Microarchitecture | Haswell |
| Plataforma | Bahía del tiburón |
| Base del procesador | Haswell |
| Quite el corazón a escalonamiento | C0 (SR1HB) |
| Proceso de fabricación | 0,022 micrones |
| Anchura de los datos | pedazo 64 |
| El número de corazones de la CPU | 2 |
| El número de hilos | 4 |
| Unidad de la coma flotante | Integrado |
| Tamaño de llano 1 escondrijo | 2 x 32 la manera del KB 8 fijó escondrijos asociativos de la instrucción
2 x 32 la manera del KB 8 fijó escondrijos asociativos de los datos |
| Tamaño de llano 2 escondrijos | 2 x 256 la manera del KB 8 fijó escondrijos asociativos |
| Tamaño de llano 3 escondrijos | 3 la manera del MB 12 fijó el escondrijo compartido asociativo |
| Memoria física | 32 GB |
| Multiprocesamiento | Monoprocesador |
| Extensiones y tecnologías | - Instrucciones MMX
- SSE/fluir las extensiones de SIMD
- SSE2/fluir las extensiones 2 de SIMD
- SSE3/fluir las extensiones 3 de SIMD
- SSSE3/extensiones suplementales 3 de SIMD que fluyen
- SSE4/SSE4.1 + SSE4.2/fluir las extensiones 4 de SIMD
- AES/instrucciones estándar de la encriptación avanzada
- AVX/extensiones avanzadas del vector
- AVX2/extensiones avanzadas 2,0 del vector
- BMI/BMI1 + BMI2/instrucciones de la manipulación de pedazo
- F16C / instrucciones flotantes de 16 bits de la conversión
- Operando FMA3/3 fundido Multiplicar-para añadir instrucciones
- EM64T/tecnología de la memoria extendida 64/Intel 64
- NX/XD/ejecutan el pedazo de neutralización
- HT/tecnología el Híper-roscar
- Tecnología del VT-x/de la virtualización
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| Características de la energía baja | Tecnología aumentada de SpeedStep |
Periférico/componentes integrados:
| Gráficos integrados | Tipo de GPU: HD 4600
Grada de los gráficos: GT2
Microarchitecture: GEN 7,5
Unidades de ejecución: 20
Frecuencia baja (megaciclo): 400
Frecuencia máxima (megaciclo): 1100
El número de exhibiciones apoyadas: 3 |
| Regulador de la memoria | El número de reguladores: 1
Canales de memoria: 2
Memoria apoyada: DDR3-1600, DDR3L-1600
Ancho de banda máximo de la memoria (GB/s): 25,6 |
| Otros periférico | - Los medios directos interconectan 2,0
- Interfaz de PCI Express 2,0
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Parámetros eléctricos/termales:
| Temperatura de funcionamiento máximo | 100°C |
| Thermal Design Power | 37 vatios |
