él TC58BYG1S3HBAI6 es un solo 1.8V 2 Gbit (2.214.592.512 pedazos) NAND Electrically Erasable y memoria microprogramable (NAND E2PROM) organizada como (2048 + 64) × 2048blocks de las páginas del × 64 de los bytes. El dispositivo tiene un registro estático de 2112 bytes que permita el programa y los datos leídos que se transferirán entre el registro y los incrementos de los bytes del arsenal de célula de memoria en 2112. La operación del borrado se ejecuta en una sola unidad del bloque (128 kilobytes + 4 kilobytes: 2112 páginas del × 64 de los bytes).

El TC58BYG1S3HBAI6 es un serial-tipo dispositivo de memoria que utiliza los pernos de la entrada-salida para la dirección y la entrada-salida de los datos así como para las entradas de comando. Las operaciones del borrado y del programa se ejecutan automáticamente que hacen el dispositivo el más conveniente para los usos tales como almacenamiento de fichero de estado sólido, grabación de la voz, memoria del archivo de imagen para las cámaras fotográficas y otros sistemas que requieren almacenamiento de datos de alta densidad de la memoria permanente.

El TC58BYG1S3HBAI6 tiene lógica del ECC en el microprocesador y 8bit leyó los errores para cada 528Bytes se puede corregir internamente

Cualidades técnicas

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	Descripción	Valor
	Arquitectura	Sectored
	Organización del bloque	Simétrico
	Tipo de la célula	SLC NAND
	Densidad	2 GB
	Ayuda del ECC	Sí
	Tipo de interfaz	Serial
	Voltaje de fuente máximo de funcionamiento	1,95 V
	Voltaje de fuente mínimo de funcionamiento	1,7 V
	Montaje	Soporte superficial
	Número de pedazos por palabra	Pedazo 8
	Número de palabras	256 MWords
	Temperatura de funcionamiento	°C -40 a 85
	Tamaño de página	2 KB
	Pin Count	67
	Dimensiones del producto	8 x 6,5 x 0,74 (máximo)
	Voltaje programado	1,7 a 1,95 V
	Defender el nivel	Industrial
	Tamaño de sector	128 x 2048 KB
	Paquete del proveedor	VFBGA
	Tipo que mide el tiempo	Síncrono
	Voltaje de fuente típico de funcionamiento	1,8000 V

Característica:

Etiquetas de productos:

Microprocesador de memoria Flash de la alta capacidad TC58BYG1S3HBAI6, memoria USB 67VFBGA de 2gb NAND

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Cualidades técnicas

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